In electronics, the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, MOS FET, or MOS transistor) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.

2024年1月13日 · 金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide semiconductor Field Effect transistor，MOSFET），也称为绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）。 根据参与导电的载流子种类不同，可以分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。

MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是 场效应晶体管 (Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 FET是具有源极（S），栅极（G），漏极（D）和主体（B）端子的四端子设备。

mosfet是mos金属-氧化物-半导体（电容）做栅极； modfet/mesfet是用金属-半导体接触（ 肖特基二极管 ），用二极管做栅极。速度比mos要快，可以用在高速电路上。 mos相当于塑料阀门头，mes/mod是铜阀门头 那mesfet和modfet的区别

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。 由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也…

金屬氧化物半導體場效電晶體（英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ，簡稱金氧半場效電晶體），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導體的場效應電晶體),屬於絕緣...

2022年3月18日 · 在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是mos管做开关器件的原理（详细请关注作者其他mos详解）。

2022年8月23日 · MOSFET，簡稱「MOS」，其全稱為金屬—氧化物—半導體場效電晶體（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。無論在 IC 設計裡，還是電路板應用上，都十分廣泛。尤其在大功率半導體領域，各種結構的 MOSFET 更是發揮著不可替代的 …

自 20 世纪 80 年代中期开始，非钳位电感式开关 (uis) 额定值普遍应用在 mosfet 数据表中。事实证明，该参数非常实用。虽然在实际应用中不建议 fet 重复发生雪崩，但工程师已经学会了使用该指标来避免在设计中使用可能会导致问题的较弱器件。