In electronics, the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, MOS FET, or MOS transistor) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.

Layana’s insert-molded power module housings for IGBT, SiC, MOSFET, and GaN modules enhance efficiency and reliability for electronics in automotive, new energy, and more.

漏极电流 ID 和栅源间电压 UGS 的关系称为MOSFET的 转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 图中随着VGS增大，ID的斜率增大。 原因是由于 VGS增大，形成的反层型 越厚，导通沟道 电阻越小， ID 的 增长速度越快。

金屬氧化物半導體場效電晶體（英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ，簡稱金氧半場效電晶體），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。

场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和 绝缘栅场效应管 （MOS管）。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和 Dawon Kahng 于1959年在 贝尔实验室 发明，并于1960年6月首次推出。 它是现代电子学的基本组成部分，也是历史上最常用的器件，自1960年代以来， MOSFET的缩小和小型化一直在推动电子半导体技术的快速发展，并实 …

瑞萨科技功率mos fet具有d系列（垂直结构）和s系列（水平结构）。其结构分别如图1和图2所示。 两者在特性上稍有差别，但都拥有功率mos fet在本质上的优良特性，具体内容如下： · 无载流子的积累现象，具有优良的频率特性和开关特性。

2024年1月13日 · 金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide semiconductor Field Effect transistor，MOSFET），也称为绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）。 根据参与导电的载流子种类不同，可以分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。

Power MOSFETs were first introduced in the 1970s, and became the most widely used power transistors in the world. They offer many advantages over older technologies such as bipolar power transistors in both linear and switching applications.

3.3kV fast- switching, energy - efficient Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs in low-inductive XHP™ 2 housing with half-bridge topology and robust .XT interconnection technology for enhanced lifetime. These power modules are designed to decarbonize applications that require high-power and high-reliability .

2024年12月17日 · MOS-FET 是金属氧化物半导体 (Metal Oxide Semiconductor) 和场效应管 (Field Effect Transistor) 的英文缩写，它也可以用作模拟元件，如模拟放大器，也可用作开关电源电路中的开关元件。如下图 (图1) 所示，MOS-FET 有两种类型：N 沟道 MOS-FET 和 P 沟道 …