功率二极管和MOSFET体二极管的反向恢复特性 - 知乎
2023年5月21日 · 反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力， …
所谓MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™ - 电子设计基础 …
2022年3月11日 · PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。 PrestoMOS …
所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™ | 所謂電晶體－ …
PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低閘極總電荷量特長、且進一步實現了內部二極體的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。 PrestoMOS的FN系列與標準型AN …
MOSFET特性参数详解，干货！ - 知乎专栏
栅极/源极间加正向偏压时，即mosfet导通状态时，与导通阻抗的特性一致。 2.9 内部二极管的反向恢复时间trr、反向恢复电荷量Qrr 二极管可视为一种电容。
MOSFET的电气特性（动态特性tr／ton／tf／toff） | 东芝半导体
由于功率MOSFET为多数载流子器件，因此与双极晶体管相比，其速度更快，并且能以更高的频率进行开关操作。 开关时间测量电路和输入／输出波形如下所示。 指从栅极-源极电压升高超 …
三代半SiC-MOSFET体二极管的特性---基础篇(11)； - 知乎专栏
不言而喻，MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间（trr）。 下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE 的trr特性比 …
所谓MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™ - 模拟/电源
2024年5月31日 · PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。 PrestoMOS …
高速trr SJ-MOSFET：PrestoMOS™系列 - 模拟技术 - 电子发烧友网
2023年2月10日 · PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部 二极管 的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。 PrestoMOS …
高速trr SJ-MOSFET应用及优势 - 面包板社区
2023年7月3日 · PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。 PrestoMOS的FN …
业界最快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS - ROHM技术 …
PrestoMOS是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET，以业界最小的开关损耗著称。 因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。 此次开发的"R60xxMNx系列"通过优化ROHM独有 …