2024年1月27日 · 本文详细介绍了MOS管的输出特性曲线，包括截止区、恒流区（饱和区）和可变电阻区，以及如何通过Ugs电压控制电流Id。 同时提到了转移特性，展示了Uds不变时Id …

来支持一波：mos结构： mos的i/v特性： 2.1mos的阈值电压vth(a).考虑一个连接到外部电压的nfet，如图所示。当栅极电压vg从0增加时会发生什么?由于栅极、介电体和衬底形成电容器， …

2022年9月25日 · 讨论了vgs和vds对id的影响，解释了mos管在开关应用中的工作原理，特别是在饱和区的电流控制作用。同时，介绍了mos管的开启电压、反型层的形成以及沟道夹断现象。

2022年4月22日 · 对于NMOS器件，源端一般接在电路的最低电位（接地），但对与PMOS源端一般接在最高电位（Vdd）。源漏之间的存在导电沟道，其理论长度为Ldrawn,但是由于在形成 …

根据MOS管的输出特性曲线，比如下图是取Uds=10V的点，然后用作图的方法，可取得到相应的 转移特性曲线 。 转移特性是表示Uds不变时，Id与Ugs之间的关系。

Examine the idvd_des.cmd file first. As we explained in class, for better convergence, we do a Vg sweep at zero Vd first, save them. Then we load each Vg with zero Vd solution, and ramp up …

mos管的开启过程就是mos共源电路工作模式，此时cgd将会被放大n倍，变成米勒电容。正常情况下cgs比cgd要大很多，但一旦进入米勒平台时cgd反而远大于cgs了。 如下图所示，为什 …

2020年5月15日 · 对于N沟道增强型的MOS管，当Ugs>Ugs(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。 在一定的Uds下，D极电流Id的大小是与G极电 …

2020年6月12日 · 此时称为深三极管区，如一个可控的线性电阻，导通电阻为：

2017年8月10日 · 表达的方法有很多，可以将V DS =10V、I D =1mA时定义为MOSFET的导通状态，将此时的V GS 作为V GS (th)，值在3V～5V之间。 顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相 …