A high-electron-mobility transistor (HEMT or HEM FET), also known as heterostructure FET (HFET) or modulation-doped FET (MODFET), is a field-effect transistor incorporating a junction between two materials with different band gaps (i.e. a heterojunction) as the channel instead of a doped region (as is generally the case for a MOSFET).

mosfet、与modfet/mesfet最大的区别在于栅极的控制； MOSFET是MOS金属-氧化物-半导体（电容）做栅极； MODFET/MESFET是用金属-半导体接触（ 肖特基二极管 ），用二极管做栅极。

高电子迁移率晶体管 （英語： High electron mobility transistor，縮寫： HEMT），也称 调制掺杂场效应管 （modulation-doped FET，縮寫： MODFET），是 場效電晶體 的一种，它使用两种具有不同 能隙 的材料形成异质 结，为载流子提供通道，而不像 金屬氧化物半導體場效電晶體 那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。 砷化镓 、砷镓铝三元 化合物半导体 是构成这种器件的可选材料，当然根据具体的应用场合，可以有其他多种组合。 例如，含 铟 的器件普 …

高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的 ...

2025年3月11日 · mosfet、mesfet、modfet有何区别？ mosfet 是mos(金属-氧化物-半导体) 做栅极 modfet/mesfet 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度比mos要快，可以用在高速电路上 2. 什么是cmos？

高電子移動率電晶體 （英語： High electron mobility transistor，縮寫： HEMT），也稱 調變摻雜場效電晶體 （modulation-doped FET，縮寫： MODFET），是 場效電晶體 的一種，它使用兩種具有不同 能隙 的材料形成異質 結，為載子提供通道，而不像 金屬氧化物半導體場效電晶體 那樣，直接使用摻雜的半導體而不是結來形成導電通道。 砷化鎵 、砷鎵鋁三元 化合物半導體 是構成這種元件的可選材料，當然根據具體的應用場合，可以有其他多種組合。 例如，含 銦 的元件普 …

2020年2月11日 · 场效应晶体管是一种 利用电场效应来控制其电流 大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定 性能 好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 MESFET的原理结构如下图所示。 将源极接地，栅极电压与漏极电压是相对源极测量而得。 正向偏压。 也就是说 VG≤0而VD≥0。 对于沟道为n型材料的器件称为n沟道MESFET。 在大多数的应用中是采用n沟道MESFET而非p沟道MESFET，这是因为n沟道器件具有较高的电子迁移率. 当 …

2020年3月21日 · 由上可知：mosfet是mos金属-氧化物-半导体（电容）做栅极；modfet/mesfet是用金属-半导体接触（肖特基二极管），用二极管做栅极。 速度比MOS要快，可以用在高速电路上。

MODFET，即调制掺杂场效应晶体管（Modulation Doped Field Effect Transistor），在电子领域中也有着广泛的应用。 其独特的工作原理和结构特点，使得它能够有效地控制电子的流动，从而满足各种电路和系统的需求。

2019年7月12日 · 本篇文章主要和大家聊聊 FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别！ FET，场效应晶体管，Field Effect Transistor，简单理解就是个水管阀门。 关上： 打开： FET，有源极（Source）就是电子从源流入FET。