因此这篇文章主要是分享给想了解像mosfet这类半导体器件工作原理的同学们，希望用更简单易懂的方式讲解给大家。 本文主要涉及到的内容有： 半导体物理最基本的概念：载流子、沟道、耗尽层、反型层

2024年1月13日 · 根据图1的结构，我们按照以下步骤画出mosfet的符号： （1）画一条 竖实线表示本就存在的N沟道 （图3中淡黄色 竖实线， 注意本来存在的沟道用实线表示，后面表示本不存在的沟道时应用虚线表示） ；

mosfet的特性曲线. 漏极电流id和栅源间电压ugs的关系称为mosfet的 转移特性 。id较大时，id与ugs的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导gfs。图中随着vgs增大，id的斜率增大。原因是由于vgs增大，形成的反层型越厚，导通沟道电阻越小，id的增长速度越快。

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2022年3月18日 · 本文概括了一些mosfet的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。 像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。

2023年1月27日 · 第一代： mosfet. 也称为平面fet，其工作原理是通过给栅极和源极施加不同的电压，来控制漏极电流的大小，从而改变电路的行为。如果把栅极和漏极比如成一根水管，那么源极就相当于阀门，负责控制水管的通断。

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2025年2月10日 · mosfet的每个特性参数都讲透了，干货满满！ 硬件笔记本 2025-02-10 08:00. 详解状态监控 ... 号对所有原创、转载文章的陈述与观点均保持中立，推送文章仅供读者学习和交流。文章、图片等版权归原作者享有，如有侵权，联系删除。 ...

2021年4月26日 · mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。 以下将从 MOSFET 的主要 参数 、不同工艺类型及

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