MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。 由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也…

2024年1月13日 · 金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide semiconductor Field Effect transistor，MOSFET），也称为绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）。 根据参与导电的载流子种类不同，可以分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。 N沟道场效应管以电子作为导电载流子，

A N-Channel MOSFET is a type of MOSFET in which the channel of the MOSFET is composed of a majority of electrons as current carriers. When the MOSFET is activated and is on, the majority of the current flowing are electrons moving through the channel.

2024年2月29日 · 本文详细介绍了N沟道和P沟道MOSFET的基本原理，包括工作机制、电路符号的区别以及耗尽型与增强型的区别。重点讲述了MOSFET作为开关管的特性，如电流方向和开关属性，并提到了选择MOSFET时需注意的关键参数如Vgsth、Rdson和Cgs。

这个“桥”的学名叫做“ 沟道 ”，沟道是由衬底中电子被吸引来形成的就叫n沟道，沟道是由衬底中空穴被吸引过来形成的就叫p沟道，个人感觉这名字还是挺贴切的。

MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体)+ FET (Field Effect Transistor 场效应晶体管)这个两个缩写组成。 即通过给 金属层 (M-金属铝)的 栅极 和隔着 氧化层 (O-绝缘层SiO2)的 源极 施加电压， 产生电场的效应 来控制 半导体 (S) 导电沟道 开关 的场效应晶体管。 由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO2绝缘层 隔离，MOSFET因此又被称为 绝缘栅型 场效应管。 市面上大家所说的功率场效应晶体管通常指绝缘栅MOS型 (Metal Oxide …

In electronics, the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, MOS FET, or MOS transistor) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.

金屬氧化物半導體場效電晶體 （英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 縮寫： MOSFET，簡稱 金氧半場效電晶體），是一種可以廣泛使用在 模拟電路 與 数字電路 的 場效電晶體。 金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與 空穴 占多数的P通道型，通常被稱為 N型金氧半場效電晶體 （nMOSFET或NMOS）與 P型金氧半場效電晶體 （pMOSFET或PMOS）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會 …

2025年3月4日 · mosfet 是重要的半导体器件，分 n、p 沟道及耗尽型、增强型多种类型。以 n 沟增强型为例，其结构特殊，工作原理基于栅源、漏源电压变化。它有可变电阻区、横流区等不同工作区域。凭借高输入阻抗等优势，mosfet 在集成电路、功率电子等多领域广泛应用，推动电子技术发 …

• MOSFET Structure • MOSFET Regimes of Operation • Scaling • Parasitic Capacitances