2020年8月17日 · DNW是阱，NBL是阱底和PSUB之间的一层。 看看TF里的纵向结构. 不是DNW上面是下面! 个人理解，作用类似，但实现方式不同，nbl类似于你房子的底，dnw类似于你房子的墙和底，两者不共存。 可以去看下相关的工艺，找有图的加深理解。 个人理解，作用类似，但实现方式不同，nbl类似于你房子的底，dnw类似于你房子的墙和底，两者不共存。 可以去 ... 个人理解，作用类似，但实现方式不同，nbl类似于你房子的底，dnw类似于你房子的墙和底，两者不共 …

2024年7月26日 · NBL （N-type buried layer）顾名思义埋层，一般NBL在DNW的下面，NBL有点像一个房间的地板，DNW有点像是墙，两者共同把器件包起来进行隔离。 依然以东部1860工艺库为例介绍。

2021年10月19日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 而对NMOS而言，它们的 well （P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。

2021年1月6日 · 在看学习工艺知识，标准双极工艺中，在p型衬底与n型外延层之间会的hi用nbl掩模版，注入n型杂质以形成nbl，叫n型埋层，请问它的作用是怎么样的，又是如何起作用的？

2024年1月24日 · DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。 加上DNW后，内部区域的所有NW实际上都通过下方的DNW连在了一起。 掺杂也不一样，NW掺杂直接影响P管的性能，DNW掺杂的要求应该低一些。 这些看看foundry的文档应该能弄清楚了。 当然不一样，DNW先做，NW后做。 DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。 加 ... 同意，DNW浓度应该会相应低，有些工艺会用DNW耐高 …

2022年1月15日 · 有没有大神对工艺制造比较了解的可以解答一下，NBL为什么可以耐高压呀？看东部的工艺NBL是通过DNW和SDNW一层层接触pickup上去的，NBL能和P-sub耐高压，那DNW和SDNW也能和P- ... 关于NBL的问题 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

2008年4月7日 · Yes, NBL is used for bipolar process, DNW is used for CMOS process but both will serve as nosie isolation layer for NPN and NMOS correspondigly. NBL- N+ burried layer DNW- Deep NWELL

2022年11月14日 · SMIC的BCD工艺中，有些LDMOS器件的DNW和NBL层是相连的，NBL电位和DNW一样，而有的结构NBL层虽然也和DNW相连了，但会开很多slot，想请问论坛的大神们，NBL开slot的作用是什么呢？ 它和不开slot的器件结构有什么不一样么？ 工艺里只是LDMOS的工作电压不一样。 你好，器件结构如下图。 目前，我得知NBL开slot是为了减小其杂质浓度提高与它形成的PN结的击穿电压，还有就是实际工艺中这些slot是连接起来的，不知道是否是这样呢？

2022年11月3日 · 有些 HV 高压 OXIDE 都 NBL , 但 BCD 会用 deep N-well . 看起来是考量到了隔离，应该是可靠性相关吧。 采用DNW的latch up会好一些，但是应该因为DNW，所以面积大一些。 赵日新 发表于 2022-11-6 11:42 不太会用，刚才发错了，pmos差别蛮大的，对于dnw的pmos来说，他的源漏直接坐在dnw中，而nbl的pmos来讲，他 ... 有pmos的界面图么？ 想知道pmos的结构差异在哪，谢谢.

TSMC .25um 工艺有DNW ,把整块LDO子电路 (内有MOS R C BJT )放在DNWLL 上，这涉及到LDO 电路器件类型，有两个想法:1. 选择时考虑低压管，所有器件不必有DNW层。 2.所有器件必须有DNW层。 这关系到LVS 可否顺利通过。 请问大师，怎末判断呢? 这个图上接-3.3V的是哪层呀，是工艺自带的管吗. DNW上LDO 电路括块包括MOS R C BJT 这几类器件，其中哪些类器件需要选择有DNW层的?是不是必须选用带DNW 的器件呢? 正负压的涉及到的器件都要用DNW.