2021年10月19日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电 …

2017年5月25日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都 …

2024年11月7日 · 工艺的RF管子应该自带DNW的，你自己画的话画一个最大的NW把管子围起来，然后中心挖空就是pwell了，在pwell外圈多个1um的边长画dnw就行

2024年9月29日 · 最近用深N阱工艺做了一个项目，记录一下深N阱工艺的剖面图，以及各个端口的接法接法（NMOS深N阱）。 首先是CMOS工艺的深N阱技术的剖面图，图源自拉扎维课本；NMOS也有了自己的“阱”，所以它相当于是把NMOS隔离起来，避免其他模块对NMOS的扰动。 接下来，看一下SMIC工艺中深N阱NMOS的symbol，以及寄生diode； 比普通的NMOS管子多了两个端口：B2和T； 要想寄生diode不正向导通，其P端一定接最低电位，N端一定接最高电位， …

2012年7月27日 · 在电路设计中用到了nmosdnw的管子，希望它的体可以另外接，但是在版图设计的时候没有经验遇到了困难，要如何在这个dnw管外面画nwell？ 这里NWELL的电位还是接高电位吗？

2015年5月7日 · Planet Analog Explores Using Deep N Wells To Reduce Substrate Noise and Fully Isolate NMOS Devices. Visit Today To Learn More.

2021年12月27日 · DNW這道製程就是要讓NMOS的Bulk端不用全接到GND，根據電路設計的需求，也可以接到Source或其他的電位。 如下圖的NMOS，利用NW和DNW把其Bulk和P-Substrate隔開，而不是接到GND。

2022年12月26日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的 PMOS 而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。 DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。 因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。 除了电位上的隔离，比如 …

Deep NWELL, abbr. DNW, is used in P substrate process, shown in figure 1. There are two main purpose to use DNW in a silicon process: (a) One is to achieve separated NMOS, manufactured in DNW. (b) A…

2019年10月25日 · If you have a device inside DNW, this means you have the option to connect its bulk terminal to a different voltage and not necessarly to the most (positive or negative) terminals. Why cannot you use NMOS in DNW directly in simulation?