本文详细介绍了NMOS和PMOS的工作原理，以及它们在CMOS互补金属氧化物半导体电路中的应用。 NAND和NOR门的逻辑功能被解析，包括它们的布局设计。 此外，还讨论了闩锁效应及其对芯片安全的影响，以及通道长度和门长度在技术节点中的重要性。 NMOS is built on a p-type substrate with n-type source and drain diffused on it. In NMOS, the majority of carriers are electrons. When a high voltage is applied to the gate, the NMOS will conduct.

2023年3月12日 · 提出了一种新颖的可重构混合单电子晶体管/ mosfet（setmos）电路架构，即可重构伪nmos类逻辑。 基于混合setmos反相器/缓冲电路单元，构建了可在室温下正常工作的可重配置伪nmos类逻辑。 这种可重新配置的逻辑可以在具有不同配置的n个输入上实现多达2n种功能。

2022年11月2日 · 把PMOS部分和NMOS部分，结合起来，就成为一个完整的CMOS NOR gate. 从CMOS反相器来构建电路时，天生就带着反相属性，所以，当想要获得OR 门时，则是在NOR门的后面再加一个反相器。

2024年9月15日 · 阈值损失 因为mosfet的特性，导通时漏级始终比栅极有一个阈值电压的损失！ 对于nmos，低电平时无损失，高电平时会降低一个 vtn 输出，因此使用nmos进行下拉； 对于nmos，高电平时无损失，低电平时会升高一个 |vtp| 输出，因此使用pmos进行上拉。

2020年7月25日 · NAND and NOR Gates are known as Universal Logic Gates, because we can realize any logic circuit or gate only by using NAND or NOR gates single-handedly. NAND和NOR门被称为通用逻辑门 ，因为我们只能单手使用 NAND或NOR门 来实现任何逻辑电路或门。

2025年2月20日 · An NMOS (negative-MOS) transistor forms a closed-circuit when receiving a non-negligible voltage, while a PMOS (positive-MOS) transistor forms an open circuit. Combined they form a CMOS (complimentary-MOS) transistor.

2022年11月2日 · 把PMOS部分和NMOS部分，结合起来，就成为一个完整的CMOS NOR gate. 从CMOS反相器来构建电路时，天生就带着反相属性，所以，当想要获得OR 门时，则是在NOR门的后面再加一个反相器。

2022年10月12日 · NMOS NOR gate. The following circuit shows the circuit of the 2-input NMOS NOR gate. It has 3 N-channel MOSFETs, in which Q 1 acts as the load resistance, MOSFETs Q 2 and Q 3 act as switching devices.

2015年8月4日 · For the design of ‘n’ input NAND or NOR gate: Let’s say n = 3 In case of NAND gate, 3 pMOS will be connected in parallel and 3 nMOS will be connected in series, and other way around in case of 3 input NOR gate.

In CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) technology, the NAND and NOR logic gates are designed by connecting NMOS and PMOS transistors in series and parallel connections. The block diagram of a 2-input logic gate in …