在有DNW的CMOS工艺中或者有双 P-well 的CMOS中，是可以有寄生的NPN的。 在DNW工艺中，DNW本身就是用来制造隔离的NMOS，DNW的存在使得NMOS的P衬底是”本地“的，即可以不接到全局p-sub上，因此就有了NPN中的基极"P"。

关于MOS管在电路图上如何看出来是N沟道还是P沟道以及三极管如何区分NPN PNP，改天在发上来。 混合信号示波器，可以简称MSO（Mixed-signaloscilloscopes）。

CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺技术被广泛应用于微处理器、微控制器、静态随机存取存储器（SRAM）以及其他各类数字逻辑电路的制造。 此外，该技术亦被用于模拟电路的设计与实现，其中许多现代图像传感器均基于CMOS工艺技术构建。

2024年1月6日 · 本文介绍了如何在单片机设计PLC时使用NMOS和PMOS作为输出，包括它们在继电器控制中的应用，以及NPN和PNP型三极管以及场效应管（特别是P-MOS和N-MOS）的驱动电路设计，强调了高低电平控制和电路优化策略。

2008年10月13日 · 确实我用的sinomos高压工艺能做npn管，里面做了个类似bipolar工艺的N+埋层，但是该工艺也叫cmos工艺。 thankyou，那就是说能做npn管的cmos工艺是改进的高压cmos工艺，不能称作是bicmos工艺？ 横向NPN管还是有的，不过横向NPN管的贝塔值太小。 那这个nwell不能通过离子注入形成吧，还是得通过埋层的外延生长，否则breakdown电压很小。 所以这个nwell与mos的nwell不一定能同一个mask的感觉。 书上讲cmos工艺能做lateral&substrate pnp。 不 …

2010年4月7日 · 发现一般CMOS工艺中都用PNP管做带隙基准源。 但是我仿真发现，是带npn管的CMOS工艺中，其beta值比pnp管要高，那位什么还是会选择用pnp管做bandgap reference呢？

数字逻辑电路 使用CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)作为基本逻辑单元，发展过程见 半导体晶体管 (BJT/PMOS/NMOS/CMOS)工艺制程技术发展简史。 图示即为数字集成电路的一个基本单元CMOS的示意图； 4. 通过相互联接，可以组成最基础的逻辑门电路，与门、非门、或门、与非门、或非门、异或门等，从而实现芯片逻辑运算； 5. ，如图Pic4所示为非门逻辑电路，PMOS & NMOS S源级分别连接电源和地，即两MOS管SUB衬底分别连接电源和地； 6. 寄生 …

使用SILVACO软件设计一个NMOS管，要求沟道长度不小于0.8微米，阈值电压在-0.5v 至 1V之间，要说明在工艺中如何调整阈值电压并在模拟结果中有所体现。 工艺模拟过程要求提取S/D结结深、阈值电压、沟道表面掺杂浓度、S/D区薄层电阻等参数。 进行器件模拟，要求得到NMOS输出特性曲线族以及特定漏极电压下的转移特性曲线，并从中提取MOS管的阈值电压和值。 分析各关键工艺步骤对器件性能的影响。 第二部分： 二、选做题目. 1、使用SILVACO软件设计一个PNP …

In Figure 2-16, we’ve now arrived at a modern NPN transistor as made in a bipolar or BiCMOS (bipolar and CMOS) process. A heavily doped, buried layer of N+ ions is diffused or ion-implanted into the P-type substrate before the epitaxial layer is grown.

2015年8月12日 · 其主要工艺为CMOS工艺，原因是它有功耗低、集成度高、噪声低、抗辐射能力强等优点，但是传统bipolar工艺有频率高、功率大的优点，因此提出在CMOS中集成三极管、二极管。