2019年9月18日 · 1，你的工艺不使用dnw，应该也是可以形成npn三极管的，不使用dnw可能制造怎样的npn，需要结合特定工艺来看； 2，重点在于理解PDK提供的这个三极管，据图推测，该三极管是由N+，Pwell和DNW组成的纵向三极管，剖面结构图如下：

2017年5月25日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都 …

在有DNW的CMOS工艺中或者有双 P-well 的CMOS中，是可以有寄生的NPN的。 在DNW工艺中，DNW本身就是用来制造隔离的NMOS，DNW的存在使得NMOS的P衬底是”本地“的，即可以不接到全局p-sub上，因此就有了NPN中的基极"P"。

2024年1月24日 · dnw在下方，nw在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。 加上DNW后，内部区域的所有NW实际上都通过下方的DNW连在了一起。 掺杂也不一样，NW掺杂直接影响P管的性能，DNW掺杂的要求应该低一些。

2021年10月19日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 而对NMOS而言，它们的 well （P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。

Deep NWELL, abbr. DNW, is used in P substrate process, shown in figure 1. There are two main purpose to use DNW in a silicon process: (a) One is to achieve separated NMOS, manufactured in DNW. (b) Another purpose is to isolate certain blocks to …

MOSCAP通常可以理解为NMOS制作在NW中，此时NMOS下极板与NW相连，因此电位相同，而且通常接GND， 所以这样的NW也必须与其他NW单独开。 “版图中有时用到DNW层即deep n-well ,有隔离保护的作用，但具体是什么效果，原理是什么呢？ 以下简称nwell为NW，pwelBaidu Nhomakorabea为PW，被nwell/deep-nwell包围的pwell为 (isolated Pwell)IPW,substrate为Sub. 无论是哪种画法，不同电位的NW必须分开。 值得注意的是DNW也是N型的，所以不同电位 …

2021年12月27日 · 發現一些資深的Circuit designer和Layout engineer不清楚Deep N-Well (DNW)的用法，以為就是底下鋪一層DNW就好，其實還要搭配N-Well (NW)和n+才能達到我們要的效果。 下圖為CMOS製程的剖面圖(cross-section view)，現在都是n-well/p-sub的製程，也就是NMOS在p-sub裡，而PMOS在n-well裡。

2024年7月26日 · NBL （N-type buried layer）顾名思义埋层，一般NBL在DNW的下面，NBL有点像一个房间的地板，DNW有点像是墙，两者共同把器件包起来进行隔离。 依然以东部1860工艺库为例介绍。

2020年4月8日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。