NXP’s portfolio of RF low power amplifiers combine the right level of gain, linearity, noise and power consumption specifications to meet the industry’s most demanding applications. From high gain, small--signal applications found in consumer and commercial to industrial applications, NXP RF low power amplifiers provide an excellent solution.

恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

The AFSC5G35D37 is a fully integrated Doherty power amplifier module designed for wireless infrastructure applications that demand high performance in the smallest footprint. Ideal for applications in massive MIMO systems, outdoor small cells, and low power remote radio heads.

Design and scale your software-defined vehicle architectures with the new S32K5 microcontroller family and NXP CoreRide platform. NXP’s new IW610 family combines 2.4/5 GHz dual-band Wi-Fi 6, Bluetooth Low Energy and 802.15.4 (Thread) …

RF PA −RF PA (operates in gain compression) • Envelope & pm signals must be developed, generally through digital methods • RF PA is inherently efficient due to operation in gain compression • Can be difficult to find a suitable envelope amplifier • Typical Applications: Mobile/portable communication devices (e.g. mobile WiMAX)

目前对Smart PA的主流定义是：在PA信号输出端加入了I/V反馈，实时检测喇叭，从而让喇叭工作在其极限状态，最大限度地发挥喇叭性能，就叫Smart PA。 电流检测：在芯片输出脚，类似串一个小电阻，测量电阻两端压降，等到经过电阻的电流，即输出的电流I。 功放要发挥喇叭最大 性能，就需要较高的功率去推动喇叭，那功放是如何保证喇叭在工作中不被损坏呢？ 原来我们谈喇叭时，都是这个喇叭其额定功率多少瓦，喇叭工作时，其功率是不能超过额定功率的。 这样虽然 …

5G推动手机射频 PA 量价齐升4G时代，智能手机一般采取1发射2接收架构。由于5G新增了频段（n41 2.6GHz，n77 3.5GHz和n79 4.8GHz），因此5G手机的射频前端将有新的变化，同时考虑到5G手机将继续兼容4G、3G、2G标准，因此5G手机射频前端将异常复杂。

smart PA直译是“智能功率放大器”，从系统上看也就是一个放大器，它和普通外放模块相比，最大的区别是加了反馈。 假设一特定中频下smart PA和普通模块信噪比、最大输出功率等可以做到完全相同，在其他频率下（特别是低频）普通放大器为了保证信噪比（直观反映为音质）及最大功率（防止烧毁），该放大器在设计之初就必须调低放大倍数。 换句话说，普通放大器为了保证全频段内的性能，不得不在大部分频段“保留实力”。 而smart PA的关键就是加入了输出信号的反馈， …

NXP Smart PA是放大器，负责喇叭音量音质的。 MX3采用的的NXP Smart PA的第一代，MX4是第二代。MX4的外放音量是MX3的7倍。 MTK 6595里，由MTK和Wolfson联合，整合了Wolfson最新的音频解码芯片，不需要独立的了。 至于音质如何，看看这个专业的评测：

High power Airfast discrete solutions designed for 20 to 80 W radios. Multi-chip modules, ICs, LNAs and discrete mMIMO solutions for 5 to 10 W radios and macro drivers. NXP’s new family of RF power macro GaN transistors are designed for 40 W to 80 W radio units targeting 4T4R and 8T8R infrastructures.