2019年8月7日 · 更重要的是，Samsung 計畫將 136 層的生產技術（含速度優化線路, speed-optimized circuit design）用以生產超過 300 層的 V-NAND。 目前 Samsung 接下來推出的 250GB SSD 將會導入 256Gb 的 136 層 3D TLC NAND，而今年稍晚則計畫推出 512Gb 版本的 136 層 …

第六代 V-NAND 具有 136 层，使其电池数量比前代增加约 40%。 为了尽量减少错误和通常随高度增加而增加的读取延迟，三星采用了新的速度优化电路设计，使芯片的数据传输速度在写入操作时低于 450 微秒 (μs)，读取时低于 45 μs。 1) 与上一代产品相比，第六代 V-NAND 的速度比上一代快 10% 以上，能耗降低约 15%。 2) 除了提高性能，三星还修改了 V-NAND，使其更容易制造。 使用第六代 V-NAND 后，256Gb 芯片所需的通道孔数从 9.3 亿个减少到 6.7 亿个，生产效率 …

8月6日，三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘（SSD）。 据三星介绍，在今年6月三星基于136层堆叠、单die 256Gb（32GB）容量的第六代V-NAND（3bit，也就是TLC）芯片就已正式量产。

根据三星官方的介绍，通过利用“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND硬盘比之前采用90+层单堆叠结构增加了约40%的层数，为136层。 不过由于层数增加所带来的NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟，三星对于硬盘重新进行了电路设计，使得采用第六代256Gb 3-bit V-NAND技术的硬盘能拥有低于450微秒 (μs)写操作和低于45μs读取延迟。 根据三星的介绍，第六代256Gb 3-bit V-NAND技术与上一代相比，性能提高了10%以上，并且功耗也降低了15%以上。 另外，三星还 …

8月6日，三星官方宣布已率先量产了全球首款基于136层堆叠的第六代256Gb 3-bit V-NAND颗粒的新型250GB SATA固态硬盘（SSD）。 据三星介绍，在今年6月三星基于136层堆叠、单die 256Gb（32GB）容量的第六代V-NAND（3bit，也就是TLC）芯片就已正式量产。

2019年8月6日 · 三星称，基于136层堆叠、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）芯片6月量产，7月份，SSD进入量产，数据传输速率为业内最快。 首款应用超100层堆叠第六代V NAND闪存的是250GB的SATA 3入门级SSD产品，性能提升10%、功耗降低15%、生产效率提升20%。 三星计划下半年推出基于512Gb第六代TLC的SSD和UFS闪存芯片，以满足更多客户需求。 三星V NAND迭代路线图.

2019年8月8日 · 為了進一步提高 SSD 容量及密度，Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND，是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品，預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率 ...

2019年8月8日 · 三星基于其第六代V-NAND技术将提供高速、大容量的SSD和eUFS解决方案，目前已开始批量生产250GB SATA SSD，采用的是第六代（1xx层）256Gb TLC V-NAND。 三星还计划在2019下半年推出基于512Gb TLC V-NAND的SSD和eUFS，用于满足全球移动和PC制造商的需求。 三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。 这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，创建 …

2019年8月7日 · 三星的第六代V-NAND可提供高达136层以及charge trap flash（CTF）。 新内存使用一个堆栈，并且不使用字符串堆叠等技术来构建超过100个层。 为了确保最小的错误和低延迟，三星不得不使用新的速度优化电路设计。

2019年8月6日 · Samsung’s 6 th Generation V-NAND features up to 136 layers as well as charge trap flash (CTF) cells. The new memory uses one stack and does not use technologies like string stacking to build ...