2021年1月4日 · Checkout Another Teaser of the Most Awaited Drama Serial #PehliSiMuhabbat of 2021. Nand is the story of a family that is controlled by someone else.

支持列表是有这个颗粒的，A705=Intel,128Gbit(8KP),29F64B08OCME1(Compute NAND)Intel,128Gbit(8KP),29F64B08OCME1(Compute NAND)=89,A8,25,CB,A9,00,2,08,10,0,3996,4096 ... 求助：2246en，四贴英特尔29f64b08ocme1,无法开卡 ,数码之家

近期，2025年 IEEE国际固态电路会议 （ISSCC）的日程中透露出，三星正在研发400L第十代V-NAND技术，并将在ISSCC会议上发布。 据有关消息分析，该NAND也将采用 WF-Bonding键合技术，从第九代的286层提升到了超过400层，实现了28 Gb/mm²的存储密度。 当前量产中 NAND 层数最高的是 SK 海力士，达到 321 层；其次是三星的 286 层；美光为 276 层；西部数据和铠侠的 BiCS 工艺有 218 层，且正在研发 300 多层的 BiCS 9 代技术；SK 海力士旗下的 Solidigm 子公 …

2023年7月26日 · NAND Flash 存储单元尺寸更小，存储密度更高，单位容量成本更低，块擦/写速度快， 具有更长的寿命，多应用于大容量数据存储，如智能手机、PC、平板电脑、U 盘、固态硬盘、服务器等领域。

2024年1月6日 · 这篇研究论文将通过黑客的视角，详细阐述如何操作 NAND dump 以及如何获取 dump 文件中的所有文件。每一步骤以及所使用的方法均会细致解析，并配以实例说明。本文主要关注的是物理 NAND dump，这是从通用编程器中提取出的 dump 文件。

2024年8月27日 · NAND Flash是一种非易失性存储设备，具有容量大、体积小、功耗低等优点，自 1989 年东芝公司首次提出以后，被广泛地应用于各种存储卡、电子设备、固态硬盘（SSD）之中。

2023年7月10日 · Has anyone ever managed to read this Intel NAND chip correctly ID: 89 D3 AC 32 C6 ? This is the latest Intel/Micron type chip with VCCQ 1.25V - but this voltage is not a problem, the problem is reading any data.

平面NAND不代表只能有一个DIE（这个DIE是指一颗实际的晶圆NAND颗粒，而不是肉眼可见的成品NAND颗粒）组成。也就是说NAND可以有纵向与横向发展两种方向。 东芝的制程在容量后两个字母中，K为A19，L为15nm，数字为15nm 3D NAND。 参考： List of Intel SSDs

2021年8月22日 · 本期讲解nand闪存读写原理，比较深奥，可能需要一定电路基础知识才能看懂。 分三个部分，前两部分以普通SLC闪存介绍基础原理，第三部分介绍MLC TLC的工作原理。

闪存存储器主要分为nor型和nand型两种，nor型闪存有独立的地址线和数据线，它支持按位进行访问，具有高可靠性且随机读取速度较快，但nor闪存的擦除和写操作速度较慢、容量小、价格昂贵，主要用于存储程序代码并在内存中直接运行。