Polymorphs of Nb2O5 Compound and Their Electrical Energy …
2023年10月30日 · Niobium pentoxide (Nb2O5), as an important dielectric and semiconductor material, has numerous crystal polymorphs, higher chemical stability than water and oxygen, …
Dielectric Response of Ta2O5, Nb2O5, and NbTaO5 from First …
2009年11月13日 · The definition of the roadmap for the future generations of dynamic random access memory (DRAM) devices underlines the need for extremely low EOT values (from 0.5 …
Ultrathin (<10nm) Nb2O5/NbO2 hybrid memory with both …
Excellent TS characteristics of NbO 2, such as high temperature stability (∼160°C), fast switching speed (∼22ns), good switching uniformity, and extreme scalability of device area …
Modelling and experimental investigation of Nb2O5 as a high-rate ...
2023年3月1日 · Known for its fast rate and good cyclability, niobium pentoxide (Nb 2 O 5) is a promising anode material for lithium-ion batteries and is specifically modelled and investigated …
Optical and Dielectric Characterization of Atomic Layer Deposited Nb2O5 …
2012年7月17日 · Nb 2 O 5 is a wide bandgap (3.6 eV) dielectric material with a high index of refraction (n = 2.4) and permittivity (29 to 200 depending of the crystalline phase 5). The …
Nb2O5化合物的多晶型及其电能存储应用,Materials - X-MOL
2023年11月1日 · 随着能源危机的不断加剧，nb2o5晶型的优异电性能使其成为锂离子电池（lib）和超级电容器（sc）潜在应用的研究热点。本文对 nb2o5 多晶型物的基本性质、晶体 …
Low temperature crystallized Ta2O5/Nb2O5 bi-layers
2005年6月17日 · The relatively low crystallization temperature made the Ta 2 O 5 /Nb 2 O 5 possible to integrate into the real DRAM device. The RIR capacitor with crystalline Ta 2 O 5 …
容量很一般却曾被Nature关注，合成方法创新后再发Nature …
当电极循环至0.5V时，无定形Nb2O5（a-Nb2O5）自发转变为岩盐结构（RS-Nb2O5），并能够通过透射电子显微镜（TEM）和同步辐射X射线衍射确定。 同时， 密度泛函理论 （DFT）计算 …
例如，先进 DRAM 电容器需要高带隙过渡金属氧化物和新型掺杂剂(如 TiO2、Nb2O5 …
2025年1月31日 · 例如，先进 DRAM 电容器需要高带隙过渡金属氧化物和新型掺杂剂 (如 TiO2、Nb2O5 等)，以提高电容且降低漏电流。 同时，金属氧化物及其混合物也是高效铁电存储器的 …
微导纳米 新变化一：ALD/ TiO2、Nb2O5等→先进DRAM电容器（ …
2 天之前 · 微导纳米 新变化一：ald/ tio2、nb2o5等→先进dram电容器（高带隙过渡金属氧化物和新型掺杂剂）；ald/金属氧化物及其混合物→ ...