2023年11月13日 · ndio是衬底二极管，正极接sub；pdio是阱二极管，做在NWELL里的，NWELL一般接电源。

2015年12月28日 · 看到有的工艺提供的PAD，里面二极管保护，用的diode 是在nwell 中生成PN结，一般的diode，也有不在NWELL 中的，这两种对ESD保护有什么特别不一样的吗？ Diode , ESD , nwell

2013年4月11日 · 最近在做一个产品，需要通过两个二极管来将两组不同的电源系并联，即V1和V2分别通过两个diode连在一起，当一个没电时就由另一个供电，两个同时有电时就以更高的一个供电。

我们熟悉的IO结构，那种上下各有一个diode的pad，就是primary esd protection： 通用型的带ESD保护的IO 比如HBM模型里面，IO被加上一个+2000V的高压，则上面的diode D1就自然导通了，外界的高压顺着 VDDP 被迅速导走。

常用的 ESD保护器件 主要有Diode、 Resistor 、 P/NMOS 、 BJT 、SCR等，因其具有 雪崩击穿 、雪崩与注入等特性，能够瞬间进入低阻态，故具有良好的电流泄放能力，可以作为ESD防护器件。这类器件在电应力下的I-V特性示意图见图1。

如果用两个二极管加一个电阻来做esd保护的话，那这两个二极管要用多大的?我现在用的cmos工艺里，有pdio和ndio两种，但是面积选择多大的为好，还有这与pin串联的电阻要多大为好！

2023年1月7日 · 虽然工作原理是一样的，但是相较于常规二极管器件，ESD-diode更看重过电流能力，寄生电容，开启电阻等参数。 所以这两者在 版图 上还是有所区别。 图九.常规二极管版图。

2008年7月15日 · For input pins, you may put PDIO + NDIO + small resistor to protect the gate oxide Z4 o* y$ x8 }! } For output pins, you may directly use GDPMOS and GGNMOS or use the output switch (if large enough) to forward the current to power / ground for +ve and …

2022年6月9日 · Adding a (small) clamp behind the isolation resistance can extend the ESD design window, e.g. enabling dual diode protection for thin oxide transistors. ESD current through this clamp will build-up voltage across the isolation resistance, while protecting the circuit.

2018年11月1日 · 但实际上你的mos也是包含diode的，大部分标准情况，都是利用diode的，hv tolerance的情况会利用ggmos的snapback。 实际上，大部分GGMOS都是早期IO设计用来做CLAMP的，现在基本都采用RC TRIGGER的CLAMP了。