
借助FIB、TEM、SEM等显微分析技术的4nm先进制程芯片解剖
为了一探先进制程芯片内部的奥秘,本文选择了一颗今年最新上市的制程为4nm的芯片,借助 透射电子显微镜 (TEM)、 双束聚焦离子束 (DB FIB)、 扫描电子显微镜 (SEM)等先进的显微分析技术,从封装级到晶圆级,逐级对芯片内部的关键工艺结构、材料成分及关键尺寸信息进行了全方位的解析,了解了其结构、材料和工艺详情。 以下是分析过程介绍: 第一步:芯片无损分析. 芯片的封装形式为 POP封装,首先采用3D OM光学显微镜、 X光射线检查设备,对芯片的封装 …
GitHub - shaurya0406/ASAP7_FinFET_Inverter_Characterization: …
ASAP7 Process Design Kit (PDK) is a 7nm predictive PDK developed for academic use. It is based on FinFET technology and provides models, libraries, and design rules for advanced semiconductor design. The PDK is designed to give realistic simulation results for circuits operating in the sub-10nm regime, using predictive technology models.
制程与FinFET技术-CSDN博客
2020年2月16日 · NXE-3350B是ASML生产的EUV光刻设备, EUV光刻 是一种极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。 具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。 极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。 之所以选用紫外线是因为目前可知且安全的最小波长。 (排序从大到小为无线电波、微波、红外线、可见光、紫外线、X射线、γ射线。 根据ITRS《国际半导体技术蓝图》里面的相关规定,平常 …
For a given L, NFIN, each model parameter PARAM i is calculate as a function of PARAM, a length dependent term, LPARAM, a number of n per nger(NFIN) dependent term,
3.1.6 NFIN Scaling Equations · BSIM-CMG Technical Manual
Powered by GitBook. 3.1.6 NFIN Scaling Equations. 3.1.6 NFIN Scaling Equations. P H I G [L, N] = P H I G i × [1. 0 + P H I G N 1 N F I N ⋅ l n (1. 0 + N F I N P H I G N 2)] (3. 7 5) × [1. 0 + (N F I N − N F I N N O M) ⋅ P H I G L T ⋅ L e f f] \begin{aligned} PHIG[L, N] &= PHIG_i \times \Big[ 1.0 + \dfrac{PHIGN1}{NFIN} \cdot ln (1.0 + \dfrac{NFIN}{PHIGN2}) \Big] \qquad (3.75 ...
讓台積電半導體成霸主、摩爾定律多活 20 年的關鍵技術:FinFET
2021年6月7日 · FinFET 技術不僅拯救了摩爾定律,同時也改變了整個半導體產業的發展方向,使得台積電、英特爾、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導體產業的公司都受益於胡正明教授的發明。 AI 不會取代你,但懂用 AI 的人會! 1947 年,「FinFET 之父」出生在北京豆芽菜胡同,後移居台灣,1968 年畢業於台灣大學電機工程系。 此後赴美國加州大學柏克萊分校留學,並獲得了碩士和博士學位。 胡正明教授表示,「自己當時並沒有身懷大志,只不過讀書不 …
北國資本市場開始覆蓋 Netfin 收購的「表現優越」評級,宣布目標 …
北國資本市場分析師邁克·格朗達爾(MikeGrondahl)以「跑贏大市」評級啟動了 Netfin 收購(NASDAQ:NFIN)的報導,並宣布價格目標為 18 美元。
半导体FinFET与芯片制程简介; - 知乎专栏
2023年11月21日 · FinFET称为 鳍式场效应晶体管 (Fin Field-Effect Transistor)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。 FET 的全名是“场效电晶体”,先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。
华北电力大学Tianhao, Hou:15 nm Bulk nFinFET器件的性能研究 …
2024年1月1日 · 本文旨在建立一个15纳米n型Bulk FinFET器件模型,研究基本结构参数、器件温度和栅极材料对Bulk FinFET性能的影响。 通过模拟分析不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度和栅极材料对FinFET性能的影响。 研究采用模拟方法,分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度和栅极材料对FinFET性能的影响。 结果表明,增加栅长、减小鳍宽和增加鳍高可以有效抑制短通道效应。 此外,沟道掺杂浓度低于1×10^17 cm^−3对器件特 …
NFIN
NFIN builds broad public awareness of the challenges faced by financially vulnerable people in North Fulton. We provide information on best practices, support long-term solutions, and enlist all sectors of the community to have meaningful impact.
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