This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high− speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls.
NTD2955-1G_onsemi (安森美)_NTD2955-1G中文资料_PDF手册_ …
此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 NTD2955-1G由onsemi (安森美)设计生产，立创商城现货销售。 NTD2955-1G价格参考￥3.09。 onsemi (安森美) NTD2955-1G参数名称：类型：1个P沟道；漏源电压 (Vdss)：60V；连续漏极电流 (Id)：12A；耗散功率 (Pd)：55W。 下 …
Low/Medium Voltage MOSFETs | NTD2955 - onsemi
Single P-Channel Power MOSFET -60V, -12A, 180mΩ. This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the Avalanche and Commutation Modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls.
NTD2955-HXY_HXY MOSFET(华轩阳电子)_NTD2955-HXY中文资 …
NTD2955 是一款采用TO-252-2L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度和高效能电子设备设计。 具备60V的最大耐压值 (VDSS)，可承载高达10A的连续电流 (ID)，并且在常态下导通电阻仅125mR (RD (on))，有效减少功率损耗，增强系统能效。 此款MOS管结构紧凑，性能优越，是理想的电源开关、转换器以及各类中低压电路的理想选择。 NTD2955-HXY由HXY MOSFET (华轩阳电子)设计生产，立创商城现货销售。 NTD2955-HXY价格参考￥1.17。 下载NTD2955-HXY中文 …
NTD2955-1G-VB_VBsemi(微碧半导体)_NTD2955-1G-VB中文资料_…
ntd2955-1g-vb价格参考￥1.49。 下载NTD2955-1G-VB中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有场效应管(MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD2955, NVD2955 Datasheet | DigiKey - Digi-Key Electronics
View NTD2955, NVD2955 datasheet for technical specifications, dimensions and more at DigiKey.
NTD2955 onsemi | Mouser 臺灣 - Mouser Electronics
NTD2955 onsemi MOSFET -60V -12A P-Channel 資料表、庫存和定價。
Low/Medium Voltage MOSFETs | NTD2955 - onsemi.cn
适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。 Low …
NTD2955 onsemi | Transistors - Digi-Key Electronics
NTD2955 onsemi Transistors parts available at DigiKey.
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high− speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls.