obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电镜扫描和光学显微镜观察，对缺陷进行界定，找出失效机理并进行根因 ...

obirch常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。 利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、 通孔 (via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有效的检测短路或漏电。

光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有芯片异常的漏电，它都可以产生亮点出来。

Optical beam induced resistance change (OBIRCH) is an imaging technique which uses a laser beam to induce a thermal change in the device. Laser stimulation highlights differences in thermal characteristics between areas containing defects and areas which are defect-free.

激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以镭射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用镭射扫描芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定位出芯片Hot Spot ...

obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电镜扫描和光学显微镜观察，对缺陷进行界定，找出失效机理并进行根因 ...

雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位置，並產生溫度梯度，藉此產生阻值變化，並經由阻值變化的比對，定位出IC Hot Spot(亮點、熱點 ...

2004年1月8日 · Abstract: The OBIRCH is an indispensable failure analysis tool in the semiconductor industry. It is useful not only for test structures but also for final products. It is useful for field failures and the failures in manufacturing processes at development phase and mass-production phase.

2023年2月3日 · obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电镜扫描和光学显微镜观察，对缺陷进行界定，找出失效机理并进行根因 ...

激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以雷射光在IC表面 进行扫描，在IC功能测试期间，OBIRCH 利用雷射扫瞄IC 内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由比对，定位出IC hot spot缺陷位置。