Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH) is used in semiconductor failure analysis to detect and localize electrical defects in integrated circuits (ICs) or chips. It is particularly effective in identifying open or short circuits in ICs, which can cause device malfunctions.

芯片失效分析 （FA）的作用是针对异常芯片（信号检测错误）进行失效点定位，并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理。 做失效分析需要全面的知识，电子、工艺、结构、材料、理化等很多方面都会涉及到。 失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下，定位出失效问题的物理位置。 通常使用的分析方法包括 X-ray, Thermal, CSAM, EMMI, OBIRCH, TDR 等。 光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）常见集成在一个检测系统，合称 PEM （Photo …

光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有芯片异常的漏电，它都可以产生亮点出来。

微光显微镜 （EMMI）和 光诱导电阻变化 （OBIRCH）常见集成在一个检测系统，合称 PEM （Photo Emission Microscope），两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式，比如检测细微漏电，快速失效定位。

IR-Obirch： InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change, 雷射光束引起的电阻变化异常检验。 利用1300nm的雷射扫描IC，扫描点被局部加温作用，在施加直流电压的情况下，IC中不同部位因温度变化而产生阻值变化，电流也产生变化，系统记录电流变化量，并通过黑色或白色影像记录下来，借助于侦测电流变化定出IC的故障位置。 IC上每个点被雷射照到，阻值与电流都会有变化，而缺陷位置，电流变化一般比其他位置更明显，影像中的点会变得更黑或更白，黑色和白色 …

2024年1月8日 · 失效分析 （Failure analysis）的作用是针对异常芯片（电性/可靠性测试异常）进行失效点定位，并结合芯片的原始设计情况判断芯片失效的机理。 失效分析 需要全面的知识，比如电子、工艺、结构、材料、理化等很多方面都会涉及到。 失效定位在不破坏样品或者部分破坏样品的情况下，定位出失效问题的物理位置。 本文引用地址： 热点定位的原理依据，激光作用于半导体材料时，会产生两种效应，一种是热效应（热辐射），另一种是光生载流子效应（光子辐 …

激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以雷射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用雷射扫瞄芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定位出芯片Hot Spot ...

IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被局部加温的作用，在给予一个直流定电压的情况下，任何材质或操作的元件皆会因温度变化而产生阻值变化 ...

IR-OBIRCH 的全名為 InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗，其原理是利用波長為 1340nm 的雷射掃描 IC，造成掃描點被局部加溫的作用，在給予一個直流定電壓的情況下，任何材質或操作的元件皆會因溫度變化而產生阻值 ...

2022年11月5日 · 利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有效的检测短路或漏电。 OBIRCH 能分析的 Defect 种类 :