先进逻辑工艺流程：FinFET-22nm Gate last Process flow - 知乎
Slope fin可以实现更好的STI效果。Fin的侧壁倾斜有利于后面介质填充和侧面的Doping。 Fin etch最关键的etch loading问题，由于fin的aspect ratio较高，已经pattern 密度有不同，具 …
FINFET 工艺里面CutOD是干嘛用的 - 后端讨论区 - EETOP 创芯网 …
2020年7月29日 · 简单的说, CUT OD就是把不需要的FIN给去除的图形。 COD 就是不需要做有源区的地方必须添加？ 形成FIN的时候，是GLOBAL的，就是整片的形成，但是只有形成器件的 …
SOI-FinFET Process Flow - FinFET Devices for VLSI Circuits and …
The etching pressure, rate, and energy are extremely critical to create a sloped fin to achieve a smooth curved interface at the bottom of the fin. Furthermore, during the fin patterning …
Bulk-FinFET Fabrication - FinFET Devices for VLSI Circuits and …
Fin removal: The SADP lithography process creates extra fins in bulk-FinFET wells that are removed to achieve the target drive current of FinFET devices at any technology node. In …
什么是 double pattern？ 什么是 odd cycle？ - いつまでも - 博客园
2019年9月18日 · 什么是 odd cycle？ 在 20nm 以下的工艺中，由于相邻 metal wire 的间距太小，使得光刻过程中，相邻的光线间距过小，相互之间发生干涉，导致 metal wire 边缘模糊，出 …
什么是DPT中的Odd Cycle问题？它会有什么问题？该如何解决？
2023年1月28日 · 如果在一个版图上存在着奇数个Shape围成的圈，且相邻的Shape之间的距离小于DPT Spacing（这就意味着它们需要涂上不同的Color），那么就会形成DPT Odd Cycle问 …
oddnn - New Foundations Explorer
2015年1月20日 · Description: An odd finite cardinal is a finite cardinal. (Contributed by SF, 20-Jan-2015.) Proof of Theorem oddnn Dummy variables n x are mutually distinct and distinct …
Odd Fin Profiles - Facebook
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Odd Future – Fin Lyrics - Genius
Fin Lyrics: Man, I feel like, I'll win a Grammy, y'know? / I had a, a dream, y'know what I mean? / Right now, I'm living the first scene, y'know? / This gon' be a long thank you, umm / Thank
oddtfin - New Foundations Explorer
Description: If is odd , then so is T fin. Theorem X.1.38 of p. 530. (Contributed by SF, 26-Jan-2015.)