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OSE效应： OD Space Effect，是由于STI本身的宽度不同引起的对两侧器件的应力不同。 这个效应在数字IC研究居多，模拟IC主要研究LOD效应。 LOD效应和WPE效应一样，直接影响 MOS管 的 阈值电压 等参数，因此如果电路对阈值电压比较敏感，那么在layout中一定要把LOD效应考虑在内，不然layout画完再做优化就很费事，导致芯片设计周期变长。 LOD效应对MOS性能影响的大小，与有源区OD的长度有关，如下图，绿色代表poly，蓝色代表OD有源区，以左侧poly为MOS …

Corning universal optical splice enclosures (OSE) are designed to manage the transition between outside plant cables and fire-retardant indoor riser cables in fiber optic networks.

2024年5月7日 · 两者不同的点在于，lod效应指单个器件本身有源区长度不同导致的影响；而ose效应指不同器件有源区之间由于sti存在导致器件电气参数的改变。 OSE效应形成的原因这里就不重复描述了，请参考 LOD效应产生的根本原因 。

2023年11月22日 · 两者不同的点在于，LOD效应指单个器件本身有源区长度不同导致的影响；而OSE效应指不同器件有源区之间由于STI存在导致器件电气参数的改变。 OSE效应形成的原因这里就不重复描述了，请参考 LOD效应形成原因。 由下图可以看出OSE效应对应mos管漏电流的影响。 （TSMC 40nm工艺，其他工艺请参考规格书） 3.2 增加dummy OD，一般利用工艺自带撒dummy的rule来添加，满足OD密度要求的同时，也可以减小OSE效应的影响。 *文中部分图 …

OSE Industries L.L.C., established in 2012, based in Dubai, UAE, is a premier aluminum extrusion company specialised in Multiport Extruded Tubes (MPEs), also known as Microchannel Tubes, as well as extruded bars and profiles designed for thermal …

2024年12月16日 · OSE效应 （OD Space Effect）是因为STI (Shallow Trench Isolation，浅沟道隔离)技术过程的应力作用导致器件电气参数发生变化的一种物理现象。 与LOD效应相似，这两种效应共同统称为STI Stress Effect。 在65nm制程技术之前，OSE效应的影响相对较小，几乎可以忽略不计。 然而，当工艺节点将至45nm以下，OSE效应对器件性能的影响变得显著，必须在设计过程中予以考虑。 本文我们将从LVS的角度，进一步探讨“效应F4”中的第二个重要成员 —— OD距 …

2021年11月23日 · ose和lod这两个效应都是sti引起的，所以就放在一起讲。 OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应 从0.20米以下的半导体制程，利用STI的方法来实现gate的隔离， STI到不同gate的距离 不同从而对器件的性能产生的影响就叫OSE。

2013年6月19日 · 楼上说的好像是STI效应，OD指的是OXIDE，OSE指的是ANALOG device的S/D端到GATE的距离不一致会影响MOS的电流。所以Analog里面的MOS不能像Digital一样改变MOS之结构。

Osela is a specialized manufacturer of laser illumination systems and structured lighting for industrial machine vision applications and R&D projects wordwide.