PD光电二极管（PhotoDiode） 是一种利用半导体材料的光电效应，能够将接到的光信号转成电流信号输出的光电传感器件。 根据光电二极管的物理结构分类，常见的有 PN结光电二极管 、 PIN光电二极管 、APD雪崩二极管。

PD的含义是“给定散热条件下，集电极允许的最大连续功耗 (Uncler specified heat conditions, maximum allowable value of constant collector power dissipation)，包括IGBT本身与体二极管的功耗。 给定散热条件只是定义了测试条件，对测试结果并无影响。 PTOT的含义是“总耗散功率” (Total clissipation)，明确表示包括体二极管的功耗。 一般认为IGBT本身与体二极管的耗散功率是一样的，PD是二者的和。

测量带宽B是指包含PD和外围电路（比如电阻，电容，放大器等）所组成的测量系统的带宽，比如DC~200kHz。 即使实际测量的信号的调制频率为50kHz，在计算探测器探测下限的时候仍然应该将200kHz代进公式，而不是50kHz。

2023年11月24日 · PD（Photodiode）是一种基本的光电探测器，其工作原理是利用半导体材料的PN结，在光照下产生电流。 PD具有响应速度快、线性度高、灵敏度高等优点，但其增益较小，需要外部电路进行放大。

2024年4月15日 · 雪崩光电二极管（APD） APD是在PIN光电二极管中添加内部电流增益区域，通过其内部的雪崩倍增效应从而实现光生电流的放大 。 由于具备 内部增益（10～100），相比于PIN，APD更适合探测微弱的信号。 图2.APD结构图及电场分布

2024年12月9日 · 光电探测器的响应速度通常用上升时间或者截止频率来描述，其中PMT的响应最快，MPPC和APD次之，PD分为PN型和PIN型，PN型的响应慢，PIN型的响应很快。

2024年4月7日 · 雪崩光电二极管（APD） APD是在PIN光电二极管中添加内部电流增益区域，通过其内部的 雪崩倍增效应 从而实现光生电流的放大。 由于具备内部增益（10～100），相比于PIN，APD更适合探测微弱的信号。

Power your gear using the correct voltage using a powerful pro battery with the 12V PD Pro to 2-Pin LEMO-Type Power Cable from Core SWX. This 24" long cable features a right-angle USB-C PD Pro connector on one end and a straight 2-Pin LEMO-type connector on the other end.

产品特点：高灵敏度，配Super TIA可以替代2.5Gbps APD+TIA。 低成本，低功耗 ，Φ70μm光探测窗口，高响应度，低暗电流，平面结构。

MPD芯片采用InGaAs材料作为介质，具有响应度高、暗电流小、电容小、抗静电损伤能力强等特点。