2023年11月24日 · pin探测器是在pd的基础上发展而来，其结构为p型半导体、i型无掺杂半导体和n型半导体的三层结构。 PIN探测器的响应速度比PD更快，灵敏度也更高，但其增益仍然较小。

2024年4月15日 · 相比于基于内光电效应的光电探测器（pn/pin光电二极管、apd），pmt具有高增益（106～107），高灵敏度、超低噪声以及大的光敏区面积等特点。 其中，小面积型 pmt 主要用于激光雷达、光子计数、正电子发射扫描仪等，而大面积型 pmt 主要用于大型中微子探测 ...

PD的含义是“给定散热条件下，集电极允许的最大连续功耗 (Uncler specified heat conditions, maximum allowable value of constant collector power dissipation)，包括IGBT本身与体二极管的功耗。 给定散热条件只是定义了测试条件，对测试结果并无影响。 PTOT的含义是“总耗散功率” (Total clissipation)，明确表示包括体二极管的功耗。 一般认为IGBT本身与体二极管的耗散功率是一样的，PD是二者的和。

2017年5月29日 · PB/PC/PD refers to which set of 8 I/O lines they are clustered together with when you are using byte level changes to the I/O pins. There is a summary somewhere in the datasheet. For example, timers may be mapped to one set, while I2C may be mapped to another. They also are mapped to Vcc or AVcc... The pins draw power from somewhere.

根据光电二极管的物理结构分类，常见的有 pn结光电二极管 、 pin光电二极管 、apd雪崩二极管。普通 pn 结光电二极管的耗尽层比较窄，光电转换效率低，由于耗尽层外没有内电场的存在光生载流子只能靠较慢的扩散运动到达电极两端，这就导致其响应速度慢，不 ...

探测下限通常由噪声等效功率（NEP，noise equivalent power）进行描述。探测下限主要由PD在对应波长的光灵敏度、光信号的频率以及PD的噪声特性共同决定。而PD的噪声电流主要来自于三个方面： 1. 反向电压（V R ）所导致的暗电流（I D ），VR越高，暗电流越大。 2.

为了和850nm VCSEL 12.5Gbps芯片配套，新亮光子同时自主研发的850nm 数据通信 PIN PD芯片，传输速率15Gbps，此款探测器芯片专为850nm数据传输波长设计，具有响应度高，暗电流低的特点，也是提供1x1, 1x4, 1x8, 1x12, 1x16单点和阵列，对应850nm VCSEL阵列，而且阵列的间距 …

PD：光电二极管（ Photo Diode），属于半导体光电探测器。 工作原理 ：当半导体中的PN结受到光照射，且入射光能量高于光电二极管的带隙能时，会产生电子和空穴，其中在内部电场的驱动下，电子和空穴按相反方向各自移动，形成了光电流。

InGaAs-PD暗电流要大于InGaAs-PIN/PD的响应相对要低于PIN/Si-PD结电流大于Si-PIN,而InGaAs-PIN结电流大于InGaAs-PD/PD工作电压远大于PIN,PD加正向电压PIN加反向电压/PD有增益的光电二极管,而PIN没有.

2023年7月6日 · 在GPIO_InitStruct（GPIO配置结构体）中，`GPIO_PuPd`成员用于设置GPIO管脚的方向。`GPIO_PuPd_DOWN`表示该管脚被配置为下拉输入模式（Pull Down），即当外部无信号时，GPIO线会拉低到地（GND）。这样做的目的是为了防止外部设备悬空导致的不确定状态，提供了一个默认的 ...