PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

2019年10月15日 · Hybrid PVD-PECVD deposition with the addition of acetylene resulted in simultaneous increase of carbon, hydrogen and sp 3 contents which transformed into hardness decrease. In the range of 2–4 sccm C 2 H 2, hardness of all coatings scattered around 20 GPa.

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。

2019年10月17日 · Revision: C Release Status: Writer: Tom Jennings Date Printed: 13 Mar 03 / 02:41 File Name: SQX_TEO_TTL.FM Template Version: TTL-3.10 USE BOOK SETUP SHEET TO MODIFY VARIABLES—DO NOT EDIT TEXT DIRECTLY.TO HIDE RUBRIC TEXT BEFORE PRINTING MASTER, SELECT COLOR VIEW #3 .TO HIDE "RESTRICTIONS NOTICE", SET THE VARIABLE TO BLANK SPACES.• TABLE • (SINGLE-VOLUME)Concept TwoDielectric …

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …

射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效率。 RF-PECVD 的起源可以追溯到 1994 年，当时日本柯尼卡公司首次提出了这种方法，并以其主要使用射频（RF）产生等离子体而命名。 射频-PECVD 工艺的特点是使用两种主要的射频电场耦合方法：电感耦合和电容耦合。 这些方法对等离子体生成的效率和效果起着至关重要的作用，而 …

射频PECVD通常采用特定频段的射频电源，其工作频率会影响等离子体的轰击作用和薄膜的致密性，同时也会对衬底的损伤程度和薄膜的均匀性产生影响。

PECVD interlocks PECVD clean gases (CF4/O 2) are interlocked from all deposition gases as a safety feature to avoid reaction of O 2 and SiH 4. Such a reaction is a safety hazard as this is an explosive mixture, and is bad for the process since it will form white SiO 2 dust in gas lines.

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）利用低温等离子体促进气相反应，从而在较低温度下在基底表面沉积薄膜。 该工艺包括在低气压下在工艺室内产生辉光放电，通常是在放置样品的阴极处。