pecvd（等离子体增强化学气相沉积）和 cvd（化学气相沉积）都是用于在基材上沉积薄膜的技术，但它们在工艺、温度要求和应用方面存在显着差异。 主要区别在于 PECVD 中使用等离子体，与传统 CVD 相比，它可以实现更低的沉积温度。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

本文简要介绍了PECVD工艺的种类、设备结构及其工艺原理，根据多年对设备维护的经验，介绍了等离子增强型化学气相淀积（PECVD）设备的基本结构，总结了这类设备的常见故障及解决措施。 1PECVD的种类. 1.1 射频增强等离子体化学气相淀积 （RF-PECVD） 等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时，利用 辉光放电 等离子对过程施加影响，在衬底上制备出多晶薄膜。 这种方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等离子体的产生方法多采用射频法，故称为RF …

ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均匀性。 ICPCVD 尤其适用于在形状复杂的表面沉积薄膜，以及需要高质量、低温薄膜的应用。 上述每种技术都具有独特的优势和挑战，因此适用于半导体和微电子行业的不同应用。 了解这些区别对于选择最适合特定制造需求的 CVD 方法至关重要。 低压化学气相沉积（LPCVD）是一种在亚大气 …

热 CVD 是高温、高纯度应用的首选，而 PECVD 则具有更大的灵活性和更低的加工温度，是现代半导体和柔性电子制造的理想选择。 依靠热量进行化学反应。 利用等离子体的活化能，实现低温加工。 高（450°C 至 1050°C），不适用于对温度敏感的材料。 低温（通常低于 400°C），适用于敏感基材。 薄膜质量高、致密，但可能因高温而产生杂质。

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved in the process, which occur after creation of a plasma of the reacting gases.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a widely used technique for the production of coatings. The main advantage of PECVD is that the temperature can be reduced from a range of 400–2000°C down even to room temperature so that temperature-sensitive substrates such as polymers can be coated.

化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）腔体清洗的原理是通过化学反应去除腔体内表面的污染物质。CVD制备薄膜的过程中，衬底表面需要保持干净，任何在衬底表面残留的物质都会影响薄膜的质量和性能。

mwecr-pecvd技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。

等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技术是一种在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法，其通过等离子体激活作用增强化学气相反应物质活性，提高表面 ...