1、PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，高射频电压使Gas分解为Plasma，Plasma沉积形成膜层。 2、光CVD：Gas通过光进行分解之后进行沉积。 3、热CVD：Gas通过高温加热进行分解。 CVD在整个工艺过程中的位置. PECVD. 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)。 优点. 1、均匀性和重复性好，可大面积成膜； 2、可在较低温度下成膜； 3 …

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。

PECVD特点：将气体分子激活成活性离子，相对降低反应所需的温度；加速反应物在表面的扩散作用（表面迁移），提高成膜速率；对于膜层表面具有溅射作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，加强了薄膜和基板的附着力；反应物中的原子、分子、离子和电子之间的 ...

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。

2021年4月6日 · PECVD has been widely used in semiconductor, solar, and display industries for TFT fabrications, including active layers, dielectric insulators, diffusion barriers, and passivation layers. 1 Besides the advantage of a low-temperature process capability for OLED devices, PECVD is especially suitable for large-area deposition with excellent ...

2003年4月15日 · Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) SiN x films deposited at the substrate temperatures from 20 to 180 °C and at the RF powers from 10 to 30 W were investigated. It is found that the films' properties such as density, refractive index, composition and bonding configuration are varied with the substrate temperature and RF power.

2017年5月25日 · This is a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technology that can be used to deposit highly flexible and effective barrier films for thin-film encapsulation for OLED and OPV panels.

2020年3月26日 · 传统的OLED器件封装是在刚性基板（玻璃或金属）上制作电极和各有机薄膜功能层后，对这类器件进行封装时一般是在器件上加一个后盖板，环氧树脂在经过紫外固化后将基板和盖板粘接成一个整体，如图1所示。

Based on the SiON single layer structure obtained by the PECVD method, we fabricated TFE with high barrier properties. For good exibility, a TFE of bi-layered structure was implemented

2018年12月20日 · Highly moisture permeation resistive and transparent single layer thin films for the encapsulation of hydrogenated silicon oxynitrides (H:SiON) were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using silane (SiH4), nitrous oxide (N2O), ammonia (NH3), and hydrogen (H2) at 100 °C for applications to