2009年9月6日 · PECVD的反应原理是利用气体辉光放电，在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体，这些离子在电场中被加速而获得能量，其中电子由于其质量很小，获得能量后温度升高很多，可以比一般环境温度高一至二个数量级，所以通常要在高温下才能进行的反应，在有 ...

摘要应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法 制备SiO2 薄膜,并 用折射率来表征致密性. 研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功 率、基 板温度、腔 内压强、N2O/SiH4 流量比的关系. 通过Filmetrics 薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率,用 聚焦离子束扫描电镜(FIBGSEM)测 量了表面微结构. 利用能量弥散X 射线(EDX)分析薄膜中Si、O、N 元素含量随工艺参数变化对致密性的影响. 进行多因子实验设计(DOE),得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件,并 研究了SiO2 薄膜 …

Refractive index – why is it important in PECVD? Refractive index is a good indicator of film composition, i.e. Si:N ratio or Si:O ratio. It can be easily measured by ellipsometer or prism coupler, allowing rapid evaluation of film composition (and unifomrity of composition).

2024年5月30日 · In this study, focusing on the two important characteristics (surface morphology and deposition rate) of SiO 2 films for 3 D ICs manufacturing, SiO 2 film growth was systematically investigated via SiH 4 /Ar/N 2 O in PECVD; a theoretical reaction process model (including gas-phase reaction, chemical adsorption, and surface reaction) bridging the...

Oxford PlasmaLab 100 PECVD system was used for deposition of SiO2 films on 100 mm (4-inch) <100> orientation Si wafers of thickness 525 ± 25 μm. interferometer was used for measuring the thickness of deposited films, non-uniformit

知识星球里的学员问：麻烦介绍下PECVD制取SiO2薄膜的工艺注意事项。 PECVD制备氧化硅的反应方程式要制备SiO2，需要有硅源与氧源。 硅源我们这里以硅烷为例，氧气源可以是 O₂、N₂O、NO 或 CO₂反应方程式为： SiH…

2024年7月1日 · 二氧化硅 (SiO2)薄膜因其卓越的光学性能,在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力.然而,SiO2薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题.为解决这些问题,研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段来提高SiO2薄膜的性能.在众多SiO2 ...

针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积 (PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频 ...

2023年3月1日 · We propose an in-situ stoichiometric SiO 2 layer deposition using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) to replace typical outside SiO 2 deposition for semiconductor devices, such as thermal oxidation and/or wet chemical oxidation.

2024年7月3日 · PECVD是利用辉光放电产生的非平衡等离子体激活反应气体，使之电离，从而获得离子、原子和大量的活性基团，并发生化学反应，在衬底上沉积薄膜。