In this work, the thermo-optic coefficient (TOC) of the silicon-rich amorphous silicon carbide (a-SiC) thin film deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was characterized. We found that the TOC of the film increases as its silicon content increases.

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

在这项工作中，表征了通过等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 沉积的富硅非晶碳化硅 (a-sic) 薄膜的热光系数 (toc)。我们发现薄膜的 toc 随着其硅含量的增加而增加。测得的 toc 提高了三倍以上，达到高达1.88 × 10 - 4 ∘ c - 1 的 toc ，这与晶体硅相当。

Continuing on from this work, we present for the first time a systematic characterization of the TOC of plasma-enanched CVD (PECVD) SRSN with different Si com-positions. We use a combination of microresonator and straight.

2022年9月26日 · In this work, the thermo-optic coefficient (TOC) of the silicon-rich amorphous silicon carbide (a-SiC) thin film deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition is characterized. We found that the TOC of the film increases as its silicon content increases.

2020年11月15日 · The thermo-optic coefficient (TOC) of photonic integrated waveguides fabricated on silicon-rich silicon nitride grown by plasma-enanched chemical vapor deposition is...

The thermo-optic coefficient (TOC) of photonic integrated waveguides fabricated on silicon-rich silicon nitride grown by plasma-enanched chemical vapor deposition is characterized for the first time, to the best of our knowledge.

2023年3月1日 · We found that the TOC of the film increases as its silicon content increases. A more than threefold improvement in the TOC was measured, reaching a TOC as high as 1.88×10-4 ∘ C-1, which is comparable to that of crystalline silicon. An efficient thermo-optic phase shifter has also been demonstrated by integrating the silicon-rich a-SiC micro ...

据我们所知，这是首次表征了通过等离子刻蚀化学气相沉积法在富硅氮化硅上制造的光子集成波导的热光系数（toc）。 发现TOC随着硅的分数组成在从氮化硅到a-Si的范围内线性增加。

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …