科晶的PECVD系统，主要技术参数： （1）等离子射频电源主机 信号频率（W）：13.56MHz±0.005% 功率输出范围（W）：0~500 供电电压（V）：单向交流 187~253 冷却方式：强风制冷； （2）双温区滑轨炉 电压：220V 50Hz 功率：2.5KW 最高温度：1200℃;工作温度：<1100℃ 炉管 ...

ICPPECVD是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 PECVD 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤 ...

主要功能： PECVD利用射频使含有薄膜组成原 子的气体电离，在局部形成等离子体， 等离子体促进气体系列化学反应，在样 品表面形成固态薄膜。 主要用于SiOx， SiNx等绝缘层低温条件下的薄膜生长。 技术指标： RF功率： 13.56 MHz 晶片尺寸： 6英寸 下电极加热 ...

借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 实验室可通气氛有Ar、O2、N2以 …

4.1 System Description In brief, PECVD is a process performed in a vacuum chamber at some temperatures (typical ~300degC). Gases are supplied to the chamber at some pressure (typical 200~1000mTorr). And then plasma is generated by RF frequency. The gases then get excited and cause a chemical reaction on the substrate.

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。

Yan Xu, Hui-min Weng, Bang-jiao Ye, Hai-yang Zhou, Hai-yun Wang, Cheng-xiao Peng, Chuan-ying Xi, Bin Cheng, Xian-yi Zhou, Rong-dian Han. Micro-structure of PECVD Diamond Films by Slow Positron...

PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技术。

Micro-structur穔 o篺 PECV Diamon磓 Film b Slo Positro訬 Beam