MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的 栅氧 作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。 以下图的NMOS管为例。 Figure 1. NMOS的剖面图. 它的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。 当gate的电源大到一定程度，超过 阈值电压 VTH，会引起源漏之间出现 反型层，即沟道形成，这样栅氧就充当了gate与沟道之间的绝缘介质，一个电容就形成了。 这个电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。 如果gate …

acronym MOS stands for metal–oxide–semiconductor. An MOS capacitor (Fig. 5–1) is made of a semiconductor body or substrate, an insulator film, such as SiO2, and a metal electrode called a gate. The oxide film can be as thin as 1.5 nm. One nanometer is equal to 10 Å, or the size of a few oxide molecules.

2021年5月12日 · 弱弱的问，在VDD的电压差情况下，用PMOS和NMOS做power的decap分别有什么不同的考虑呢？ 我建议用nmos，因为pmos带个阱，阱这种东西虽说高性能必要，但是风险也大，处理不好各种寄生bjt就来了，甚 ... 打环这点确实是要注意，谢谢！ 打环的必要性在于？ 在90nm以上采用单个mos做decap不管用nmos和pmos都差不多，不过建议采用pmos，因为pmos的gate leakage会好些 ... 请教一下，90nm以下，单个nmos 做decap 会有esd风险，是什么原 …

What are the different bias regions in MOS capacitors? What do the electric field and electrostatic potential look like? What is the Debye length? What does the capacitance look like as a function of bias? Last time, we discussed the basic operation of the MOSFET...

电源和地之间加滤波电容，可以直接用NMOS或PMOS,因为电源和地之间的电位差足够高，强反型形成的沟道电容也是足够大，反型层越强，相当于等效的两极板离得越近。

MOS Capacitors: Where do the electrons in the inversion layer come from? Diffusion from the p-type substrate? If we relied on diffusion of minority carrier electrons from the p-type substrate it would take a long time to build up the inversion layer charge.

2011年8月20日 · 用到mos来作为电容，有几个问题：1.如若用pmos来当电容，栅极为一端，S，D，B为另一端，而且这个电容的S，D，B是接地端的，那么，版图中，此pmos的N阱就变成了接到地（一 ...

2005年1月27日 · pmos cap is formed between gate and channel so, both drain and source r connected to gnd. nmmos cap is formed between gate and substrate so, both r connected to gnd.

2024年10月16日 · 文章详细解释了MOS电容的工作原理，包括其定义、不同工作状态（堆积、耗尽、反型）下的电容特性，以及能带分析。 重点介绍了如何通过控制电压实现可变电容的应用，特别强调了在NMOS中的使用和没有反型区域的情况。 MOS电容是 集成电路 中非常重要的应用，器件电容的定义为： 阈值反型点： 当达到最大耗尽宽度且反型层电荷密度为零时的情形。 此时得到最小电容. C d e p C_ {dep} C dep 的串联。 最后当 V GS 超过. MOS电容有三种工作状态： …

2022年9月16日 · 按照理论来讲，gate电压大于source/drain/bulk的电压，工作在cutoff区域，或者，多子堆积区域，此时，栅极下面的沟道里是多子电子，能够跟得上gate电压的变化，所以，电容值应该是栅氧电容。 但在ac仿真的lis文件，读到的电容信息（W=L=4u，m=30）：Cgs=38.5fF,Cgd=48fF,Cgtot=735fF，可是，按照Cox*W*L计算得到的电容值=2.08pF, 这与735f存在很大的差距，请问，这里的差异是怎么造成的？ 哪个数值更可靠 …