理解保护环（Guardring）机制：防止集成电路闩锁效应-CSDN博客
2021年8月15日 · 在QPNP与QNPN的基区分别与VDD，VSS存在一个非零的电阻，Rwell与Rsub，这样我们可以发现纵向QPNP的增益在几百倍，而横向QNPN的增益在几十倍。 当无 …
芯片Layout中的Guard Ring - 白发戴花君莫笑 - 博客园
2023年10月13日 · 在CMOS模拟版图中，常常用Guard Ring将若干个MOS管（一般来说，一个Gurad Ring内部的MOS管都是同型的，即都是PMOS/NMOS）包围起来，起到保护作用。 在芯 …
本篇介绍的是如何放置保护环(guard ring) 来正确防护latch-up 。 上图是典型的版图结构,左边是N-well PMOS 加 N+ well contact, 右边是P-sbu NMOS 加 P+ sub contact,中间就是guard ring ,当 …
总有人喜欢用多子少子解释guard ring - Layout讨论区 - EETOP 创 …
2014年6月18日 · 有两种ring: ptap, psub pick up，接到地，提供低阻通路，把noise电流泄放掉。 nwell ring，利用反向pn在psub上产生的depletion layer提高噪声耦合路径的电阻，使得噪声衰 …
N-guardring和P-guardring - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原 …
2015年6月15日 · N-guardring和P-guardring这两种环对应吸收什么粒子，本人比较混淆，求大神解惑。 2、N-guardring多子为电子，吸收空穴复合，P-guardring多子为空穴，吸收电子复合。 • …
[讨论] I/O GGNMOS ESD 什么情况需要加保护环？ - EETOP
2024年7月5日 · 如果GGNMOS是直接做在psub上的，我认为是需要加guard ring的，最好的guard ring就是NBL/DNW结构，该结构相比于Ntap之类的保护环更深，可以做到有效的隔离。 之前 …
头号难题！我是一ESD（下） - 知乎 - 知乎专栏
许多低压制程用SCR(silicon-controlled rectifier)做ESD 保护电路,一个SCR保护电路的连接见右图,在CMOS制 程中,Q1为一垂直式的PNP,由nwell内的PSD和nwell以 及P-epi构成,横向NPN Q2 …
这些你都不懂，如何Get我的“芯”？ - 知乎 - 知乎专栏
1.多子GuardRing ： P+ Ring环绕NMOS并接GND； N+ Ring环接PMOS并接VDD。 使用多子保护环可以降 低Rwell和Rsub的阻值，且可以阻止多数载流子到基极。 2.少子GuardRing ： 制作 …
搞明白I/O 接口电路（六）：闩锁与ESD简述（完） - 知乎
Guard Ring主要包括两种：（1）P型Guard Ring，与衬底相连，由 p^ {+} 扩散和P阱植入形成，并接到地；（2）N型Guard Ring，由 n^ {+} 扩散和N阱植入形成，接电源。 除了Latch-up，I/O …
PnP Ring Doughnut
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