物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）是用于不同行业的两种不同的薄膜沉积技术，每种技术都有独特的工艺、优势和应用。 PVD 依靠蒸发或溅射等物理过程来沉积材料，通常温度较低，沉积率较高，适合较简单的几何形状和合金沉积。 相比之下，ALD 是一种化学过程，它利用连续的自限制反应沉积超薄、保形薄膜，并能精确控制厚度，是复杂几何形状和高精度应用的理想选择。 PVD 是一种 "视线 "工艺，而 ALD 则提供各向同性的涂层，确保在所有表面上的均匀覆 …

化学气相沉积(cvd)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、 前驱体 ）的不同又分为 常压cvd （apcvd）、低压cvd（lpcvd）、等离子体增强cvd(pecvd)、高密度等离子体cvd（hdpcvd）和 原子层沉积 （ald）。

While PVD is a "line-of-sight" process, ALD provides isotropic coating, ensuring uniform coverage on all surfaces. PVD: Involves physical processes such as evaporation or sputtering, where solid materials are vaporized and then condensed onto a substrate. This process does not rely on chemical reactions and is carried out under vacuum conditions.

2020年11月9日 · 薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，薄膜沉积工艺主要有PVD、CVD、ALD气相沉积工艺：PVD（物理气相沉积）：在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 CVD（化学气相沉积）：主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。 ALD（ …

原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于化学气相沉积 (CVD) 的高精度薄膜沉积技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术。

2023年6月26日 · PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），等离子增强化学气相沉积法，是在反应腔内通过微波或射频等方式施加电场，使少量自由电子被加速轰击气体分子，从而将气体分子里的非自由电子激发产生链式反应，最终形成含有大量电子和离子的等离子体。 这些等离子体附着在基板表面，具有很高的化学活性，发生化学反应生成原子团。 随着反应的进行原子团逐渐成长成核岛，核岛与核岛之间的缝隙又继续通过反应物填充最终形成整个薄膜。 …

相比传统的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD），ALD的优势在于成膜具备优异的三维保形性、大面积成膜均匀性，以及精确的厚度控制等，适用于在复杂的形状表面和高深宽比结构中生长超薄薄膜。

2023年12月9日 · 相比传统的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）， ALD的优势在于成膜具备优异的三维保形性、大面积成膜均匀性，以及精确的厚度控制 等，适用于在复杂的形状表面和高深宽比结构中生长超薄薄 …

2025年1月14日 · ald 是一种精确的薄膜沉积技术，其核心原理是利用化学反应的“自限性”，以原子或分子层为单位逐层生长薄膜。 具体过程包括： 前体吸附 ：将化学前体（Precursor）引入反应室，前体分子在衬底表面发生吸附，形成单分子层。

2023年12月11日 · 物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。 ②CVD. 化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学 …