PVD（物理气相沉积）和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是两种不同的薄膜沉积技术，用于半导体制造、光学和涂层等不同行业。 PVD 依靠溅射或蒸发等物理过程沉积材料，而 PECVD 与传统的 CVD 相比，使用等离子体在较低温度下增强化学反应。 它们的主要区别在于沉积机制、温度要求和沉积材料的状态（PVD 为固态，PECVD 为气态）。 PVD 通常更安全，可避免使用有毒化学品，而 PECVD 则具有低温沉积和节能等优势。 PVD:在 PVD 技术中，待沉积的材料 …

本文简要介绍了PECVD工艺的种类、设备结构及其工艺原理，根据多年对设备维护的经验，介绍了等离子增强型化学气相淀积（PECVD）设备的基本结构，总结了这类设备的常见故障及解决措施。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

物理气相沉积（PVD） 指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积，包括蒸发、溅射、离子束等； 化学气相沉积 (CVD) 是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、前驱体）的不同又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD (PECVD)、高密度等离子体CVD（HDPCVD）和 原子层沉积 （ALD）。 LPCVD： LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很 …

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）利用低温等离子体促进气相反应，从而在较低温度下在基底表面沉积薄膜。 该工艺包括在低气压下在工艺室内产生辉光放电，通常是在放置样品的阴极处。

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学气相沉积法。 借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

2023年12月9日 · 相比传统的化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）和物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）， ALD的优势在于成膜具备优异的三维保形性、大面积成膜均匀性，以及精确的厚度控制 等，适用于在复杂的形状表面和高深宽比结构中生长超薄薄 …

2023年6月26日 · PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），等离子增强化学气相沉积法，是在反应腔内通过微波或射频等方式施加电场，使少量自由电子被加速轰击气体分子，从而将气体分子里的非自由电子激发产生链式反应，最终形成含有大量电子和离子的等离子体。

本文旨在详细介绍PECVD工艺的种类、设备结构及其工艺原理。 基于对设备维护的深厚经验，我们将深入探讨等离子增强型化学气相淀积（PECVD）设备的基础架构，并总结这类设备在使用过程中可能遇到的常见故障及其应对措施。