The F-RAM chip contains a thin ferroelectric film of lead zirconate titanate, commonly referred to as PZT. The atoms in PZT change polarity in an electric field, thereby producing a power-efficient binary switch.

FRAM, an acronym for ferroelectric random access memory, is a non-volatile memory that can hold data even after it is powered off. In spite of the name, FRAM is a ferroelectric memory and is not affected by magnetic fields as there is no ferrous material (iron) in the chip.

2021年7月20日 · FRAM性能比EEPROM好的的三个优势： 1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数； 2、功耗，同样写入64byte的数据，FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/10

f-ram 芯片包含一层由锆钛酸铅组成的铁电薄膜，通常被称为 pzt。 PZT 中的原子会改变电场中的极性，从而产生高效能的二进制切换。 但是，PZT最重要的一点是它不受电源中断的影响，这使得F-RAM成为可靠的非易失性存储器。

2014年1月1日 · We review the history of, and recent advances in, ferroelectric memory, including ferroelectric random access memory (FRAM or FeRAM). FRAM is the first among advanced non-volatile memories, such as magnetoresistive random-access memory (MRAM), phase-change random access memory (PRAM) and resistive random access memory (ReRAM), to be commercialized.

2021年9月26日 · FRAM（Ferroelectric RAM）是一种非易失性存储技术，以其快速写入速度（比EEPROM、Flash快1000倍以上）和低功耗著称。其存储单元基于铁电效应，结构包含电容和场效应管，早期采用2T/2C，后发展为1T/1C设计。FRAM的读写操作不依赖电荷，而是通过控制铁电晶 …

2018年7月3日 · Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory.

Abstract: Ferroelectric random access memories (FRAM) are nonvolatile memories which allow a fast access time and a low power consumption. State-of-the-art devices are based on the perovskite lead zirconate titanate (PZT), which suffers …

PZT是研究最多、使用最广泛的，它的优点是能够在较低的温度下制备，可以用溅射和MOCVD的方法来制备，具有剩余极化较大、原材料便宜、晶化温度较低的优点;缺点是有疲劳退化问题，还有含铅会对环境造成污染。 结构示意图如图1所示： SBT是钽酸锶铋Sr1-yBi2+xTa2O9。 SBT最大的优点是没有疲劳退化的问题，而且不含铅，符合欧盟环境标准;但是它的缺点是工艺温度较高，使之工艺集成难度增大，剩余极化程度较小; 结构示意图如图2所示。 两种材料的对比见表1。 目 …

2020年5月7日 · 铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体。 FRAM的结构 FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectric film）。 富士通的FRAM里使用了PZT（锆钛酸铅）的铁电物质，其结晶结构如下图所示。 图1铁电存储器的结 …