等离子体化学气相沉积（ plasma chemical vapor deposition）简称PCVD，是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。 等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用 低温等离子体 作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。 PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供 化学气 …

pcvd 是一种混合薄膜沉积技术，融合了物理和化学过程。 它首先对源材料进行物理气化（类似于 PVD），然后通过化学反应（类似于 CVD）将材料沉积到基底上。

LPCVD、PECVD 和 ICPCVD 是三种常用的化学气相沉积 (CVD) 技术，每种技术都有其独特的材料沉积方法、设备规格和工艺条件。 这些技术在各行各业都发挥着举足轻重的作用，尤其是在对薄膜沉积进行精确控制至关重要的半导体制造领域。 低压化学气相沉积（LPCVD） 低压化学气相沉积法在减压条件下运行，可增强气体扩散并改善薄膜的均匀性。 这种方法通常采用高温，有利于形成致密、高质量的薄膜。 LPCVD 因能在大型基底上形成均匀的薄膜而备受青睐，是半导体行 …

化学气相沉积 (CVD) 是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、前驱体）的不同又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD (PECVD)、高密度等离子体CVD（HDPCVD）和 原子层沉积 （ALD）。 LPCVD： LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量、大大降低了颗粒污染源。 依靠加热设备作为热源来维持反应的进行，温度控制、气压很重要。 广泛 …

2023年6月26日 · APCVD（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition），常压化学气象沉淀法，通常是指在标准大气压下利用气体化合物在固体基板上发生化学反应生成薄膜的工艺。 由于标准大气压下气体分子密度较高，APCVD法沉积速率极快，高达600-1000nm/min。 进行APCVD之前一般需要用不参与反应的惰性气体（常用氮气、氩气等）清洗腔室，再通过该惰性气体作为载气运输反应气体。 同时，由于标准大气压下气体分子间碰撞频率较高，成膜速度过 …

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved in the process, which occur after creation of a …

长飞pcvd工艺生产多模光纤的优势 张方海 长飞多模光纤采用等离子体激活化学气相沉 积（简称pcvd）工艺制造。对于渐变折射率多模 光纤（gimm），管内法（包括mcvd和pcvd）为主 流工艺。 典型的mcvd工艺原理如图1-a所示。以超纯 氧气作为载体将sicl 4等原料和gecl 4等 ...

等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技术是一种在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法，其通过等离子体激活作用增强化学气相反应物质活性，提高表面反应速率，并通过高能离子显著降低了薄膜沉积温度。 [1] 在等离子体的作用下，气体在腔室中被解离，形成包含气体分子、高能离子、电子、活性自由基等粒子的强反应物质。 在沉积表面上不仅存在着 …

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和 HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）是 CVD 的先进变体，可以解决其中的一些局限性。 PECVD 使用等离子体来增强化学反应，因此加工温 …

2024年8月16日 · 高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）是一种重要的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、显示器件等领域。 该技术通过产生高能量和高密度的等离子体来实现对基板表面的薄膜沉积。