3.1 等离子体增强原子层沉积（Plasma-Enhanced AtomicLayer Deposition，PEALD） 1991年，荷兰科学家deKeijser和van Opdorp首次使用氢气等离子体与三甲基镓和砷化氢反应外延生长砷化镓，进而提出了等离子体增强原子层沉积技术。

等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 是一种先进的薄膜沉积技术，它结合了原子层沉积 (ALD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的原理。 它利用原子层沉积（ALD）的连续自限制反应，实现原子级的薄膜厚度和均匀性精度，同时利用等离子体增强前驱体的反应性，从而降低沉积温度，改善薄膜性能。 这种方法尤其适用于在复杂几何形状和对温度敏感的基底（如半导体器件、医疗设备和储能系统中的基底）上沉积高质量的保形薄膜。 PEALD 将 ALD 的顺序自限反应与等离子 …

Step 3 (PEALD): O 2 Plasma. If we replace the thermal ALD H 2 O pulse step with an O 2 plasma step, a flux of O* radicals will be incident upon the substrate surface, reacting with the methyl groups in a combustion-like process. O* + -CH 3 → CO, CO 2, H 2 O. The surface chemistry for the plasma process is not nearly as clean as that for the ...

原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是 一种将物质以单原子层形式逐层在基底表面形成薄膜的真空镀膜工艺。 早在1974年，芬兰材料物理学家Tuomo Suntola开发了这项技术，并获得百万欧元千禧技术奖。 ALD技术最初用于平板电致发光显示器，但并未得到广泛应用。 直到21世纪初，ALD技术开始被半导体行业采用， 通过制造超薄高介质材料取代传统氧化硅，成功解决了场效应晶体管因线宽缩小而引起的漏电流难题，促使摩尔定律进一步向更小线宽发展。 …

2023年10月30日 · PEALD can yield abrupt interfaces between different materials and the substrates. By varying the sequence of material deposited, it is possible to obtain nanolaminates (dyads) of amorphous and dense materials at low temperatures through which the grain boundary formation can be suppressed.

原子层沉积的新应用包括防潮和氧化的阻隔层、光伏化和显示技术的电气钝化层。 PEALD （即 P-ALD）： 通过借助等离子体而不是热活化进行活化，可以涂覆对温度敏感的基底，例如合成材料。 另外，可以使用难以热活化的原料。 应用领域除了半导体表面的电气钝化外，还包括塑料上的高质量阻隔层，这是未来超薄和灵活 显示器 (Display) 的关键技术，尤其是在使用 OLED 时。

等离子体增强原子层沉积 (PEALD)是一种原子级表面沉积技术,由于其较高的反应活性以及较低的沉积温度日益受到研究者的关注。 本文介绍了PEALD技术的基本原理以及相对于其他薄膜沉积技术的优势,之后从前驱体和基底材料的影响等方面介绍了利用PEALD制备Ti、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Ta、Ir和Pt等过渡金属薄膜以及它们在微电子领域的应用现状,最后进行了总结和展望。

2017年10月15日 · Room-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) of ZnO was studied by depositing the films using diethylzinc and O 2 plasma from inductively-coupled plasma (ICP) and capacitively-coupled plasma (CCP) plasma source configurations. The CCP-PEALD was operated using both remote and direct plasma.

Thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) is supported in one reactor with an optimal shutter. SENTECH offers leading-edge, ultra-fast, in-situ monitoring of layer-by-layer film growth using the AL Real Time Monitor as well as wide-range spectroscopic ellipsometry.

PEALD引入高活性等离子体，降低沉积温度，提升薄膜质量，提高沉积速度，扩展沉积种类，同时能清洗反应腔。