PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …

化学气相沉积 (CVD) 是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，根据反应条件（压强、前驱体）的不同又分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子体增强CVD (PECVD)、高密度等离子体CVD（HDPCVD）和 原子层沉积 （ALD）。 LPCVD： LPCVD具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量、大大降低了颗粒污染源。 依靠加热设备作为热源来维持反应的进行，温度控制、气压很重要。 广泛 …

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于 辉光放电 等离子体 使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。 由于 PECVD技术 是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了 非平衡等离子体 的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。 一般说来,采用 PECVD 技术制备 薄膜 材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： 首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离 …

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved in the process, which occur after creation of a …

2018年11月23日 · 管式PECVD的原理就是通过脉冲射频激发受热的稀薄气体进行辉光放电形成等离子体，通过两片相对应的石墨片加相反的交变电压使等离子在极板间加速撞击气体，运动到硅片表面完成镀膜过程。 三、镀膜的相关介绍. 1、机台照片与工作原理图. 所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。 插片时硅片载体被工艺点固定，在硅片和石 …

2022年1月29日 · Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is a low temperature vacuum thin film deposition process with a very strong position in the semiconductor industry due to its ability to apply coatings on surfaces that would not be able to withstand the temperatures of more conventional CVD processes.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a widely used technique for the production of coatings. The main advantage of PECVD is that the temperature can be reduced from a range of 400–2000 °C down even to room temperature so that temperature sensitive substrates such as polymers can be coated.

Amongst them, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a technique that can extend the applicability of the method for various precursors, reactive organic and inorganic materials as well as inert materials.

2017年11月27日 · PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。 在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。 所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。 这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。 可以根据改变硅烷对氨气的比率，来得到不同的折射指数。 在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。 在真空、480摄氏度的环境温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy。 …

Our PECVD systems are specifically designed to produce excellent uniformity and high rate films, with control of film properties such as refractive index, stress, electrical characteristics and wet chemical etch rate. Our plasma cleaning process with end-point control removes or reduces the need for physical/chemical chamber cleaning.