ptat 和 ctat 基准可用于设计一种随温度变化很小的电压基准，称为 带隙基准 。 遗憾的是，PTAT 和 CTAT 基准电压的产生需要使用 寄生二极管 （使用 n+、p+ 和 n-阱构建的 pn-结）。

2025年3月10日 · （1）CTAT:V BE 与绝对温度成反比，表现出负温度系数。 （2）PTAT: Δ \Delta Δ V BE 与绝对温度成正比，表现出正温度系数。 （3）通过正、负温度系数的加权叠加，可以得到零温度系数。 二、典型带隙基准结构

• Generate an inverse PTAT and a PTAT and sum them appropriately. –VBEis inverse PTAT at roughly -2.2 mV/°C at room temperature –Vt= kT/qis PTAT that has a temperature coefficient of +0.085 mV/°C at room temperature. • Multiply Vtby a constant Mand summed with the VBEto get VREF= VBE+ MVt

2021年5月9日 · PTAT - Proportional to Absolute Temperature. CTAT - Complementary to Absolute Temperature

BJT的发射结电压 VBE 随着温度的增加而降低，贡献一个负温度系数，称之为“与绝对温度成反比”（即" CTAT "，complementary to absolute temperature） 通过将PTAT和CTAT的量按比例相加，我们就得到了趋近于0温度系数的电压参考源

The ΔV BE and V BE components have opposite polarity TCs; ΔV BE is proportional-to-absolute-temperature (PTAT), while V BE is complementary-to-absolute-temperature (CTAT). When the summed output, V Ref, is equal to 1.205 V (silicon bandgap voltage), the TC is a minimum.

2023年8月15日 · vbe/r就是ctat我本来想这样做，但老员工说有现成的基准电压和ptap电压，让它们相减得到个ctat去用。 那就按老员工说的相减呗 回复 支持 反对

In developing temperature independent voltages, it is useful to show how to generate PTAT currents. A straight-forward method is to superimpose VPTAT across a resistor as shown: Because R is always dependent on temperature, this current is called a pseudo-PTAT current and is designated by IPTAT’.

2024年11月11日 · 带隙电压基准的基本原理是通过适当的电路设计获得正温度系数（PTAT）和负温度系数（CTAT）电压或电流。 然后，PTAT和CTAT电压或电流由 不同的 电压（或电流）求和电路进行求和，使得输出电压或电流基准具有零温度系数. 双极型晶体管BJT两个特性： （1）温度升高，双极晶体管的基极——发射极电压（VBE）将下降，呈现负温度系数特征. （2）当两个同类型的双极型晶体管分别处于不同的集电极下时，它们的基极——发射极电压差 与温度成正比 …

The voltage difference between two p–n junctions (e.g. diodes), operated at different current densities, is used to generate a current that is proportional to absolute temperature (PTAT) in a resistor. This current is used to generate a voltage in a second resistor.