RF CMOS is a metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) technology that integrates radio-frequency (RF), analog and digital electronics on a mixed-signal CMOS (complementary MOS) RF circuit chip.

2024年中国大陆晶圆厂 40nm RF工艺 的汇总，包括自主可控情况、军品CMOS射频技术描述. 栅极长度（L）通常设置为最小值40nm，建议栅宽（W）与栅长比（W/L）小于10，即栅宽不超过400nm。 对于需要更大电流的器件，可通过增加并联管子数量来降低阈值电压（Vth）。 DNW用于隔离NMOS器件，防止不同模块之间的相互串扰，尤其适用于敏感电路（如PLL、OSC）。 DNW内的P-sub与外界P-sub隔离，可有效削弱相互影响。 最小线宽和间距需遵循工艺设计规 …

si 材料最成熟的工艺当属 cmos ，即互补金属氧化物半导体。 RF CMOS 工艺可分为两大类：体硅（Bulk-Si）CMOS工艺和 SOI （绝缘衬底硅）工艺。 1.2.1体硅（Bulk-Si）CMOS工艺

2019年4月22日 · 最近在做射频方向，想用CMOS工艺搭建电路，但是看到有的论文提到了RF CMOS 工艺。 想问一下RF CMOS工艺和普通的CMOS工艺有什么区别？ 您能说的详细一点吗，我不是太懂。 我现在用普通的0.18CMOS工艺搭建功率放大器的原理图，会不会有什么问题啊. MOS管等器件，物理上是一样的，但模型复杂很多。 为保证模型准确，RFMOS的layout都是厂家提供特定画法. MOS管等器件，物理上是一样的，但模型复杂很多。 为保证模型准 …

RF-SoC（射频片上系统），是指将射频/模拟/数字电路与存储单元、微处理器/DSP集成在为一个复杂的单芯片数字通信系统。 主要的优势在于整个模块不易受到外部噪声干扰、系统小型化空间占用了小、模块集成或者装配更容易实现，同时长远来看其能够实现更低的系统成本。 大多数有经验的 RFIC 设计人员都明白，RF 电路的集成水平在很大程度上取决于系统架构的选择、可实现的技术、片上串扰/隔离、封装寄生效应、成本和研制生产周期。 图 1 所示为一款基于 BiCMOS工 …

2002年8月7日 · Trends in the RF performance of nominal gate length NMOS devices from 350-nm to 50-nm CMOS technologies are presented. Both experimental data and circuit simulations with an advanced validated compact model (MOS Model 11) have been used to …

TI 对 CMOS 工艺构建射频 (RF) 功能的目标实现了支持包括 GPS、GSM 和 Bluetooth™ 无线标准的单片广播技术。 这一工作的关键在于 TI 对 DRP™ 或数字射频处理的开发，它取代了通常用在射频收发器上大部分模拟组件的高频数字处理，从而使完整广播能够更加简单地集成。

2023年9月29日 · RF CMOS is an advanced integrated circuit (IC) technology that brings together radio-frequency (RF), analog, and digital electronics on a single mixed-signal CMOS chip. RF CMOS technology has played a crucial role in catalyzing the wireless revolution and transforming the way we communicate wirelessly.

2006年3月24日 · 我们可以从三个角度对RF CMOS设计进行探讨：首先，低频模拟设计人员正在将其设计提升到更高频率；其次，分立RF/微波设计人员转而借助集成手段；最后，设计人员将SERDES这样的数字电路提升到工艺能够支持的最高频率。 在上述三种情况下，RF CMOS设计都大有帮助，本文将从这些视角出发，来解释RF CMOS本身和建模之间的不同。 最近几年，我们已经开始看到一些有关射频 (RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。 本 …

2023年9月28日 · 我们可以从三个角度对RF CMOS设计进行探讨：首先，低频模拟设计人员正在将其设计提升到更高频率；其次，分立RF/微波设计人员转而借助集成手段；最后，设计人员将串行器/解串器 (SERDES)这样的数字电路提升到工艺能够支持的最高频率。 在上述三种情况下，RF CMOS设计都大有帮助，我们也将从这些视角出发，来解释RF CMOS本身与为其建模有何不同。 衬底. 面向传统数字应用的CMOS使用已经发展到采用低电阻率的大块衬底 (图1)，并将器件做 …