这种方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等离子体的产生方法多采用射频法，故称为RF-PECVD。 其射频电场采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合 [1]。

射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效率。

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）通常使用射频（RF）输入功率，因为它能够维持辉光放电等离子体，这对电介质薄膜的沉积至关重要。 射频功率可提高离子轰击能量，改善薄膜质量，并允许较低温度沉积，这对半导体制造至关重要。

2020年7月7日 · 结合 PECVD 设备在实际生产过程中反射功率过高的问题，通过 RF Generator 设置，RF match 电容配比实验，设备故障以及备件管理的分析，制定了相应的解决对策，从而实现RF 系统阻抗匹配，降低 RF 系统故障发生率。

用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石 (DLC)薄膜，通过控制甲烷 (CH4)与氩气 (Ar)流量的比值 (V C H 4 / V A r)分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜，用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate.

射频增强等离子体化学气相淀积（RF-PECVD）。 这种技术利用辉光放电等离子对低压化学气相淀积过程施加影响，通过射频法产生等离子体，从而在衬底上制备出多晶薄膜。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统的 CVD 不同，PECVD 利用等离子体来增强沉积过程，从而能够在较低的温度下沉积更多的材料。 本文将全面介绍 PECVD，探讨其原理、应用、优势和局限性。 我们将讨论 PECVD 所涉及的工艺流程、等离子源和关键参数，以及它在半导体制造中的作用和在其他行业中的新兴应用。 …

2014年8月1日 · Hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC x:H) thin films were deposited using a radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) system with methane (CH 4) and silane (SiH 4) as reactive precursor gases …

PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技术。