rf soi是专门用于制造智能手机和其他产品中的特定射频芯片（如开关和天线调谐器）的专用工艺。rf soi是绝缘体上硅（soi）技术的rf版本，与用于数字芯片的全耗尽型绝缘体上硅（fd-soi）不同。 随着5g的到来，对rf soi提出了更多需求。

RF-SOI is name of a specialized semiconductor process utilized to create certain RF Integrated Circuits for applications like antenna tuners for cellphones and switching devices. Essentially, it is RF version of the SOI technology. Historical Development and Evolution of RF-SOI Technology

加入富陷阱层的rf-soi包括rfesi soi和ifem-soi（两者区别于富陷阱层的厚度），均可以实现更高的线性度和隔离规范，使设计人员能够满足最严格的射频规范要求。

2023年11月24日 · RF SOI是一种具有独特的硅/绝缘层/硅三层结构的硅基半导体工艺材料，它通过绝缘埋层 (通常为SiO2)实现了器件和衬底的全介质隔离。 由于 RF-SOI 能够以最优的性价比实现更高的线性度和更低的插入损耗，它可以为人们带来更快的数据速度、更长的电池寿命，和频率更稳定、流畅的通信质量。 数十年来，电信基础设施市场一直由宏和微基站驱动。 如今，借助 5G 大规模 MIMO 有源天线系统，射频 (RF) 组件行业正在选用越来越多的射频组件。 Yole Group 旗 …

2023年10月30日 · 意法半导体官网 对 RF-SOI 的解释是，这是一种特种工艺，针对模拟RF性能与RF前端需求优化。 一般我们说常规的RF-SOI是基于PD-SOI沟道，也就是Partial Depleted SOI。 这是相对于FD-SOI的Fully Depleted SOI而言的。 SOI器件结构大致上包含最上层的顶层硅，中间的BOX（Buried Oxide Layer）绝缘层，以及底层硅层。 在次日的国际RF-SOI论坛活动上，格芯（GlobalFoundries）射频技术副总裁Julio Costa在媒体采访中解释说，FD-SOI的顶层硅很 …

2022年8月7日 · RF SOI是一种具有独特的硅/绝缘层/硅三层结构的硅基半导体工艺材料，它通过绝缘埋层(通常为SiO2)实现了器件和衬底的全介质隔离。 由于RF-SOI 能够以最优的性价比实现更高的线性度和更低的插入损耗，它可以为人们带来更快的数据速度、更长的电池寿命，和频率更稳定、流畅的通信质量。 Luis Andia分享到：“RF-SOI能够取得巨大成功和获得广大市场的原因，主要是由于RF-SOI能够保证非常高的信号的线性度和信号完整性。 ”对SOI+低电阻率晶圆、SOI+ …

2020年11月30日 · “rf-soi和fd-soi是相互补充的技术。 在解决5G不同频段共存的问题上，他们可以为射频设计提供更多的灵活性，特别是一些手机需要兼容6GHz以下和毫米波频段时。

新的Soitec RF-SOI 300mm基板在硅厚度优化、氧化层优化和RF性能方面实现了显著进展。 GF的9SW平台使用最新一代的300mm RF-SOI晶圆制造，显著降低了主动和待机功耗，并使产品尺寸比以往平台小10%，实现了超过20%的效率提升。

2020年8月13日 · rf soi是绝缘体上硅（soi）技术的rf版本,有效利用了内置隔离衬底的高电阻率特性。 而无晶圆厂IC设计公司Cavendish Kinetics为了改变市场格局，也推出了基于新工艺RF MEMS的新一代RF产品和天线调谐器。

意法半导体的rf-soi技术又称 lte cat nb1 技术，是一套经过优化的专有工艺，可完全满足4g、5g、2.4 ghz和5 ghz射频连接和窄带物联网设备射频前端模块严苛的模拟射频性能与集成度要求。