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2022年8月17日 · AL (Additive Latency) 通过AL，设备允许在ACTIVATE命令后立即发出WRITE命令。该命令在设备内部发出前会被保留AL的时间。支持这一功能是为了维持设备中更高的带宽/速度。 WL (Write Latency) 这是整体写入延迟，定义为 WL = CWL + AL: tCCD_S & tCCD_L

2023年7月6日 · 文章讨论了内存控制器如何处理act和read指令之间的延迟(trcd)，以及冲突的解决办法。通过引入前置cas，可以提高效率，消除数据传输间隔。al表示列激活的提前量，cl保持为读指令到输出的延迟，rl是前置cas情况下读指令后的延迟时间。

2013年2月27日 · 附加延遲 (AL, additive latency)是使用Post CAS技术时，总线上发出CAS信号（读写/命令）后到这个指令实际被执行的延时。 所以在使用了这个技术之后，从发送出激活bank命令（想要读取数据的时刻）到读到数据这段时间应该是AL+CL+1（CAS 信号也要一个时钟），这样就不难理解美光文档上的图4：Figure 4:DDR2 Bank Interleave Reads with AL = 3，从图上可以看出有了这个技术，那个空洞不存在了，数据完美的连续了。 …

2019年4月16日 · 由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency），DDR3会有一个AL（Additive Latency），因此RL=AL+CL。 和读数据类似，在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才允许数据进入，从CAS与写命令发出到第一拍数据写入的这段时间，被定义为CWL（CAS Write Latency）。 在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CASDelay（RAS至CAS延迟）；也可以理解为行选通 …

AL （Additive Latency） AL 延迟允许紧跟激活命令后发出读命令，器件内部将读命令延迟 AL 个时钟周期后执行。 该项特性用于保持器件内部的高带宽与高速率

RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency (AL)+CAS Latency (CL)； CAS Latency为读取潜伏，为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期； Additive Latency为附加潜伏期，它的作用为使命令和数据总线更有效，即允许读或者写命令紧跟有效命令； CAS Write Latency（CWL）列写潜伏期，被定义为内部写命令和第一个bit有效数据输入之间的时钟周期延时；DDR3 SDRAM 不支持半周期潜伏，总的写潜伏为Write Latency (WL)=Additive Latency …

2019年6月14日 · 附加延遲(AL, additive latency)是使用Post CAS技术时，总线上发出CAS信号（读写/命令）后到这个指令实际被执行的延时。 但是对于这个改进有两个地方值得注意的：

2022年8月20日 · 通过AL，设备允许在ACTIVATE命令后立即发出WRITE命令。 该命令在设备内部发出前会被保留AL的时间。 支持这一功能是为了在设备中维持更高的带宽/速度。 CAS是列地址选通，即当列地址出现在行上时。 CL是内部读取命令与输出数据第一位可用性之间的延迟（以时钟周期为单位）。 它在MR0模式寄存器中定义。 SDRAM 数据表通常会具体说明需要为特定操作频率设置的 CL. 这描述了相关 DQ 数据管脚的最新有效转换。 从下图中您会看到，这是 DQS 转 …

2023年12月2日 · AL （Additive Latency） AL 延迟允许紧跟激活命令后发出读命令，器件内部将读命令延迟 AL 个时钟周期后执行。 该项特性用于保持器件内部的高带宽与高速率