Latest results on 1200 V 4H-SiC CIMOSFETs with Rsp, on of 3.9 …
2015年6月15日 · In this paper, the latest results on 1200 V rated, 20 A SiC CIMOSFETs are described. The specific on-resistance (R sp, on) values are further reduced to 2.7 mΩ·cm 2 at …
SiC MOSFET Topology 1#：常见拓扑的动静态差异 - 知乎
比导通电阻（Rsp）是衡量功率MOSFET导通状态下性能的一个重要参数，它定义为单位面积下的导通电阻，通常表示为： Rsp=Ron×A. 其中：Ron是器件的导通电阻，即在器件导通状态下， …
安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析 - 艾邦半导体网
安森美 (onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP ( …
1200 V 14 mΩ SiC MOSFET with Low Specific On-Resistance of 3.3 …
Benefitted from the high switching frequency, knee-free driving voltage, and a natural reverse recovery body diode, SiC MOSFETs are regarded as the most potenti
解读SiC MOSFET关键参数——Rds (on) - 阿基米德半导体（合肥） …
2024年6月14日 · 定义：Rsp即比导通电阻值，是指器件的导通电阻与芯片有源区面积的乘积。 它代表了在单位面积下，器件导通时所呈现的电阻值。
全面升级！安森美第二代1200VSiCMOSFET关键特性解析
2024年3月25日 · 安森美 (onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降 …
Latest results on 1200 V 4H-SiC CIMOSFETs with Rsp, on
2015年6月12日 · In this paper, the latest results on 1200 V rated, 20 A SiC CIMOSFETs are described. The specific on-resistance (Rsp, on) values are further reduced to 2.7 mΩ·cm2 at …
The latest product family, M3S, has best-in-class RSP and offers superior switching performance and low reverse recovery losses, and is particularly well suited to hard switching topologies …
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
安森美 (onsemi) 发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。 M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP ( …
SiC MOS技术争霸！安森美/英飞凌/汉磊等推新成果-第三代半导体 …
2024年7月25日 · 7月19日，据“EE POWER”媒体消息，安森美于近日推出了最新一代碳化硅技术平台 EliteSiC M3e MOSFET，这一创新产品旨在显著提升高耗电应用的能效，加速推进电气 …