RD06HVF1 Datasheet(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor
RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz. …
三菱RFパワーFET RD06HVF1で実験 - JF1DIR業務日誌（はて …
2009年9月27日 · 予告通り、三菱RFパワーFET RD06HVF1で パワーアンプ を試作してみました。 本 半導体 は データシート にあるように、 QRP 向けのVHF帯 パワーアンプ 用シリコン …
RD06HVF1 - MITSUBISHI ELECTRIC US, Inc. Semiconductors and …
rd06hvf1 Overview Mitsubishi Electric’s lineup of High Power Si MOS FET discrete and module products are suitable for frequency ranges from 30MHz to 1GHz and output power levels up to …
RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz …
rd06hvf1 - 百度文库
note: RD06HVF1-101 is a RoHS compliant products. Torelance of no designation means typical value. RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the lot Dimension in mm. marking.
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2024年10月29日 · 新系列元件是一款结构更紧凑的新一代通用型产品，工作电压为450 V（直流），具有更高的CV值，功能及适合应用和之前系列产品相同。 不过，B43659系列元件的尺寸 …
RD06HVF1 (Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz, 6W)
RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES. High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz . …
RD06HVF1 Datasheet(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor
MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. Mitsubishi Electric Sem... M/A-COM Technology Solu... Part #: RD06HVF1. Download. File …
RD06HVF1 TENTATIVE Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W RD06HHF1 MITSUBISHI ELECTRIC REV.1 7 Apr. 2004 1/3 ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE …