2023年7月12日 · Shockley-Read-Hall (SRH) 复合模型是一种用于描述半导体材料中载流子复合过程的理论模型。 它被广泛应用于半导体器件的设计和性能评估。 SRH 复合模型基于以下假设：在半导体材料中存在着缺陷能级，这些能级可以捕…

2022年1月1日 · 非平衡载流子的寿命决定于载流子的复合过程.实验表明，非平衡载流子的寿命对某些杂质或缺陷的存在非常敏感，因而不能用导带中的电子直接落入价带与空穴相结合的直接复合理论来描述. 1952年，R.N.Hall首先提出了一种间接复合模型，认为电子和空穴可通过某些复合中心完成复合过程. 同年，W.Shockley和W.T.Read发表了空穴和电子的复合统计理论. 复合模型如图所示. 某些杂质或缺陷在禁带中引入能级Et称为复合能级，这些杂质能级既能俘获电子又能俘 …

2017年3月20日 · RSRH,e (h) is the Shockley-Read-Hall recombination rate of electrons (holes) per unit of volume. Correspondingly, Rrad refers to radiative recombinations. (b) HTL-i-ETL double...

2022年8月28日 · 非辐射复合：有两种主要机制，深能级复合（srh理论）及俄歇复合。 能量的释放方式为： （1）发射声子，能量传递给晶格，变成晶格振动（e-声子）

The balance equation for each generation-recombination center yields a Shockley-Read-Hall (SRH) rate within the quasi-static approximation. The individual characteristic properties of generation-recombination centers depend strongly on the technology.

2023年11月19日 · 早在上世纪50年代，三位著名的半导体物理学家Shockley、Read和Hall就提出了理解半导体材料中非辐射复合的经典单能级Shockley-Read-Hall（SRH）模型。 SRH模型指出缺陷能级俘获某一类型载流子的能力可以粗略的正比于缺陷能级与带边的距离。

2024年4月10日 · 在半导体技术的精密领域中，SRH（Shockley-Read-Hall）复合模型扮演着基石的角色，它如同一个魔术师的手法，精准地描绘了载流子在材料内部的神秘舞蹈。

2023年7月10日 · %SRH复合涉及三个主要步骤：捕获、再激发和复合。 当一个自由电子或自由空穴遇到缺陷级别时，它可以被捕获到该级别，并在其中停留一段时间。 在这个缺陷级别中，载流子通常会损失能量，转化为热能。 随后，被捕获的载流子可能会重新被激发，跳跃回到导带或价带。 最后，捕获和重新激发的载流子可能会相互遇到，并重新结合，导致非辐射复合。 SRH复合的速率取决于缺陷级别的密度和位置，以及载流子的浓度。 在某些情况下，缺陷级别可能会具有高 …

借助于复合中心的复合就称为 间接复合 （也称为Shockley-Read-Hall [SRH]复合），这时非平衡载流子的寿命就主要决定于 复合中心 的浓度和性质。 关于 非平衡载流子 的复合，除了直接复合和间接复合以外，还有许多其它的复合机理，例如 表面复合 、Auger复合等。

2007年1月1日 · Basic for the SRH model are the drift-diffusion assumption for the transport of electrons and holes, the assumption of one trap level in the forbidden band, and the assumption that the dynamics ...