SOI technologies for RF and millimeter-wave integrated circuits
Today, Partially Depleted Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET is the mainstream technology for RF SOI systems. Fully Depleted SOI MOSFET is foreseen as one of the most promising …
RF SOI战争打响 | 半导体行业观察 - 知乎
GlobalFoundries， TowerJazz， 台积电 和 联电 正在扩大300mm RF SOI晶圆产能，以迎接5G，争抢第一波RF业务。 RF SOI是专门用于制造智能手机和其他产品中的特定射频芯片（ …
RF-SOI 优化衬底—当代射频和毫米波前端的核心-电子工程专辑
2021年3月4日 · 图 7 显示了 HR-SOI（非富陷阱SOI）和 iFEM-SOI（富陷阱 SOI）衬底的串扰抗扰性，两种材料都各自广泛应用于传统和现代的 Wi-Fi 射频前端（RFFE），我们将在 2.3 节 …
Enhanced RF Switch Performance in RFSOI Technology ... - IEEE …
In this paper, we demonstrate that reducing SOI thickness is an effective approach for pushing further the capabilities of modern RF switch devices, diminishing parasitic capacitance COFF …
RF-SOI - 意法半导体STMicroelectronics
意法半导体的RF-SOI技术又称 LTE Cat NB1 技术，是一套经过优化的专有工艺，可完全满足4G、5G、2.4 GHz和5 GHz射频连接和窄带物联网设备射频前端模块严苛的模拟射频性能与集成度 …
为什么RFSOI技术更适合波束成形IC？ - 知乎专栏
RFSOI 则允许在 RF/mmWave、模拟和数字域中通过单芯片集成实现极高的集成度。 带有集成功率放大器和 低噪声放大器 的 Tx 和 Rx 链. 低损耗 射频开关. 偏置、增益和相位的复杂控制电 …
SOI Devices and Substrates towards RF and Millimeter Wave ICs
The existing flavors of SOI substrates are reviewed, highlighting substrate requirements at RF, as it seriously impacts parasitic coupling, RF losses, passive quality factor, and non-linear signal …
Characterization and optimization of partially depleted SOI …
2013年12月1日 · Among various process technologies, the silicon-on-insulator (SOI) CMOS process has become a promising technology for high power RF switches because of its …
RF-SOI：当代射频和毫米波前端的核心 - 电子工程专辑 ...
2020年11月30日 · 该技术最大的优点在于可以提高材料均匀性，降低材料缺陷密度，并且使高质量晶圆可以循环再利用，广泛应用于SOI衬底的批量生产，包括FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI …
FD-SOI and RF-SOI technologies for 5G - ScienceDirect
2024年1月1日 · RF-SOI (silicon-on-insulator) technology offering high performance at low cost has become the mainstream technology for RF switch banks in mobile applications, by …
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