2017年11月21日 · RTPC测量系统提供了电磁和光学等两种终点检测手段，可用于不同类型的晶圆，以适应在铜薄膜厚度、平整度和器件图案（devicepattern）等方面的差别。 RTPC的磁信号（Magneticchannel）以涡流检测为基础判断铜薄膜的厚度。 原理如图2。 由于金属铜在变化的电场中运动感生出涡流，并且膜厚越大，涡流产生的信号也越大。 因此可以根据检测到的涡流信号大小判断膜厚。 图2. 电磁耦合基本原理： 1.交流电通过线圈的时候会产生磁力线；2.磁场的大 …

2012年3月16日 · In this paper, a real-time profile control (RTPC) system in Cu CMP is introduced. The system mainly contains two parts: 1). Real-time metal thickness monitoring based on electromagnetic...

2017年2月28日 · RTPC的压力参考范围（35-95mm）和偏移值（-300ANG），FullVision的终点 光谱，以及验证了研磨垫厚度补偿功能。 使得量产45nm逻辑芯片在铜化学机

传统铜cmp 采用两步研磨法，第一步用铜研磨来磨掉晶圆表面的大部分铜；第二步用较低的研磨速 率精磨与阻挡层接触的铜，并通过终点侦测技术使研磨停在介质层上。

Different CU line pattern density determines the difference of CMP incoming topography. This incoming pattern loading requires CMP to leave enough Process Window to fix. This article provides the direction of CU CMP EDP optimization for different pattern density products, and focuses on RTPC Remain thickness, so as to improve the CMP process ...

In this paper, a real-time profile control (RTPC) system in Cu CMP is introduced. The system mainly contains two parts: 1). Real-time metal thickness monitoring based on electromagnetic induction of eddy current in conductive metal layer; 2). Real-time new polishing pressure computing and adjusting for desired metal thickness profile.

rtpc的闭环控制. rtpc的两个主要实现功能是终. 点检测和研磨剖面形状的实时调整. rtpc会以晶圆的剖面厚度平均值作. 为终点判断依据,当薄膜厚度减少. 到设定的目标值时,rtpc将发送给. cmp设备研磨终止信号.剖面调整功. 能需要研磨设备配备具多压力控制区

2011年8月6日 · rtpc的控制系统由rtpc检测装. 置，终点检测软件，rtpc用户界面和. cmp设备软件等几个部分组成。这些. 组件之间进行通讯和数据交换以实现. rtpc的控制流程。 结论. 本文详细介绍了rtpc系统的检测. 原理和控制流程。将闭环rtpc控制用. 于300mm铜cmp工艺中，由于传感器

2011年1月8日 · 传统的铜cmp工艺控制主要包括两个方面：1.利用开环控制达到对晶圆平整度，缺陷，生产量，成本等工艺要求；利用电磁和光学传感器提供研磨终止信号。

2014年1月11日 · 传统的铜CMP工艺控制主要包括两个方面:1.利用开环控制达到对晶圆平整度,缺陷,生产量,成本等工艺要求;利用电磁和光学传感器提供研磨终止信号. 在铜CMP工艺中,为了去除多余的铜金属而形成嵌入式铜互联结构,分别应用电磁和光学信号于第一和第二阶段的研磨终点控制. 传统的铜CMP工艺控制主要包括两个方面:1.利用开环控制达到对晶圆平整度,缺陷,生产量,成本等工艺要求;利用电磁和光学传感器提供研磨终止信号.