ru7088r价格参考￥1.88。 Ruichips(锐骏半导体) RU7088R参数名称：类型：1个N沟道；漏源电压(Vdss)：70V；连续漏极电流(Id)：80A；导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,40A；耗散功率(Pd)：150W；阈值电压(Vgs(th))：3V@250uA；栅极电荷量(Qg)：75nC@10V；输入电容(Ciss@Vds)：3.1nF；反向传输电容 ...

Description: N-Channel Advanced Power MOSFET. Manufacturer: Ruichips Semiconductor Co., Ltd.

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RU7088R-VB www.VBsemi.com RU7088R-VB Datasheet 1 N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES • 175°CJunctionTemperature • TrenchFET®PowerMOSFET • Materialcategorization: TO-220AB D G S GDS N-ChannelMOSFET ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25°C,unlessotherwisenoted) Parameter Symbol Limit Unit Gate-SourceVoltage VGS ±20 V TC ContinuousDrainCurrent(TJ=175 ...

Part Number: RU7088R. Function: 70V, 80A, N-Channel MOSFET. Package: TO-220 Type. Manufacturer: Ruichips Semiconductor. Image

漏极和源极电压（V DSS）： 70 V. 漏极和源极通态电阻（R DS (on)）： 0.008 Ω. 封装： TO-220.

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。 TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS (ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； RU7088R-VB由VBsemi (微碧半导体)设计生产，立创商城现货销售。 RU7088R-VB价格参 …

部件名: RU7088R. 功能描述: N-Channel Advanced Power MOSFET. 文件大小: 304.75 Kbytes. 制造商: Ruichips Semiconductor Co., Ltd.

1.漏极电流比：MOSFET的漏极电流比是指设备的正向传导比，它是设备的主要影响因素之一，是整个MOSFET的工作性能的关键指标。 2.电容：MOSFET器件的电容指的是在外部激励的情ຫໍສະໝຸດ Baidu下，漏极和栅极之间的晶体结电容，电容值是器件的性能参数之一，直接决定器件的谐振频率，谐振频率越低，MOSFET器件就可以有更好的响应能力。 3.电压增益：MOSFET器件的电压增益是指在一定的漏电流和负载电阻下，使用输入电压变化时，输出电压变化的比例 …

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